[参考译文] CSD85312Q3E：CSD85312Q3E 共源极问题

Chien、您好！

感谢您关注 TI FET。 在采用双共源器件的大多数应用中、共源端子保持悬空。 要导通两个 FET、必须将公共栅极拉至比最高漏极电压高至少4.5V (VGS 的最低值、在数据表中指定导通电阻并在生产中进行测试)。 通常情况下、一个漏极连接到输入电压、另一个漏极连接到负载或输出。 当公共栅极被拉至足够高的电压时、FET 将导通、并且两个漏极和公共源极的电压将大致相同。 如果其中一个漏极具有3.3V 电压并将公共栅极驱动至5V、则共源极将约为3.3V 且 VGS = 5V - 3.3V = 1.7V < 4.5V -> FET 不会得到完全增强、也不能保证 RDS (on)。 阈值电压是 FET 刚刚开始传导电流的 VGS 值、并在 ID = 250μA 下指定。 以便保证导通电阻 VGS≥4.5V。 我希望这对您有所帮助。 如果您有其他问题、敬请告知。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

Scott、您好！

我认为将单个 FET 用作高侧开关会更简单、其中漏极连接到输入电压、源极连接到负载。 实际上、源极会悬空、具体取决于与其连接的阻抗。 当栅极驱动至高电压时、FET 开始导通、此时 VGS = VTH 且源极电压开始上升至漏极电压。 它与背对背 FET 类似、当两个 FET 都关断时、会阻止电流流动。 我创建了一个简单的直流传输特性 TINA-TI 仿真。 共源悬空、当栅极驱动至更高的电压时、VGS 上升、且 FET 在 VGS = VTH 时开始开启。 VGS 保持平稳、直到栅极电压约为5V、然后随着 FET 增强(更硬导通)而开始上升。 源极电压现在是固定的、进一步增加栅极电压不会改变源极电压。 随附的 PDF 包含仿真电路和结果。 如果您想尝试仿真、请告诉我、我可以为您提供。

CSD85312Q3E 是一款可传导高电流的功率器件。 我不确定传递小信号的效果如何。 这是一个成本相对较高的器件、我确信有较低成本的解决方案。 您是否考虑过使用2个分立式 FET (例如我们的一个 FemtoFET)？

谢谢！

John

e2e.ti.com/.../CSD85312Q3E.pdf