工具与软件:
尊敬的 E2E 设计支持:
您是否建议将此驱动器安装在 IMS 电路上?
可能的问题应与电容耦合有关:金属芯是否会在绝缘信号路径之间造成电流泄漏?
提前感谢您。
LM.
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尊敬的 E2E 设计支持:
您是否建议将此驱动器安装在 IMS 电路上?
可能的问题应与电容耦合有关:金属芯是否会在绝缘信号路径之间造成电流泄漏?
提前感谢您。
LM.
我经历了电路关断时的启动。
我发现我在栅极驱动器的电路上犯了一个错误:我将 MOSFET 的外部有源钳位连接到 COM、而不是 VEE。 这是一个错误、会导致 COM 到 VEE 短路。
移除这些 VEE 后、某些电路可以正常工作(尽管存在 ISM)、而其他电路不正常(COM-MOSFET 11V 过压可能是由于灌电流故障)。
有关信息、请参阅以下 ISM 层堆叠:
- ISM 芯与2mm 铝,铜覆盖100µm 绝缘层(铝是次级侧)
-再加上第二层铜层,超过100至150µm μ m 绝缘层(不能确定是预浸料)。
-不是 PTH、只有 D100µm μ V 微孔。
-很显然只能在初级侧装配
我几周前曾向本论坛提出过这是否会成为一个问题的问题。 答案是,它是不是值得推荐的。
问题应该是铝金属芯中的涡流和电路过载。 我将对其进行测试、以查看使用全功率栅极驱动器时是否正常...