工具与软件:
嗨、团队:
我们遇到了 SS 时间问题、请查看原理图(css= 470nF)。
当 SS_CTRL=GND 时、测得的 SS 时间为54.7ms (接近计算值61ms)。
当 SS_CTRL=VIN 时、测得的 SS 时间为1.3秒、远低于4ms 的计算值。 您能帮助解释一下这一差距吗? 谢谢!
SS_CTRL=VIN
SS_CTRL=GND
此致、
Sam Ting
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工具与软件:
嗨、团队:
我们遇到了 SS 时间问题、请查看原理图(css= 470nF)。
当 SS_CTRL=GND 时、测得的 SS 时间为54.7ms (接近计算值61ms)。
当 SS_CTRL=VIN 时、测得的 SS 时间为1.3秒、远低于4ms 的计算值。 您能帮助解释一下这一差距吗? 谢谢!
SS_CTRL=VIN
SS_CTRL=GND
此致、
Sam Ting
您好、Sam、
如果铁氧体磁珠在低频时具有很大的电感、则当电荷在导通期间从 Cin 传输到 Cout 时、它将抵抗电流变化。 当 SS_CTRL 连接至 VIN 时、这种电荷转移会在较短的时间内发生、Cin 将下降。 如果源阻抗很高(来自铁氧体磁珠或输入电源)、则 Vin 将显著下降。
使用电荷转移方程 Q = CV、那么 Cout 充电所需的电荷"Q"为 Q = CV = 42.1uF * 1V = 42.1uC
如果线路上的阻抗很高、则所有这些电荷都来自 Cin。 因此、Cin 上的压降为:Vdroop = Q / Cin = 42.1uC / 33.1uF = 1.27V。
我们需要使用 Vout 测量 Vin、以确认在导通和将 LDO 置于压降状态期间 Vin 不会下降太多。
谢谢!
Stephen