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器件型号：LMG1210 工具与软件：
您好！
我要在我的其中一个应用中使用 LMG1210作为半桥驱动器、我希望开关频率在1 -1.5MHz 之间。 为了节省成本、我使用 AOD2544 MOSFET 而不是 GaN FET。 在 LMG1210EVM-012电路板提供的半桥配置中、MOSFET 开关损耗非常高。 对于约1.5A 的平均负载电流和100V 的 VCC、根据 Spice 仿真以及现实生活中的情况、每个 MOSFET 都会消耗约5W 的功率。 为了最大限度地降低 米勒平坦区效应、我建议在高侧和低侧 MOSFET 之间添加10+10欧姆的功率电阻器。 现在、在相同负载下、MOSFET 的功率损耗降至约400mW。 忽略功率电阻器的功率损耗、因为功率电阻器是我的负载电路中必需的一部分。
我的问题是、我可以设计这样的电路吗？ (请参阅分享的原理图)。 电路工作正常。 但是、由于5W 电阻器的发热越来越多、我将它们替换为10R 50W 铝制外壳电阻器(仅用于测试)。 不需要考虑功率损耗、而是发热。 电阻器的体积非常大、因此我将它们与板一起放在了10厘米的导线块的帮助下。 这样、我的 LMG1210 IC 被放大。 我重新检查了所有内容(使用板载5W 电阻器)、再次将5W 电阻器替换为50W 大电阻器、然后 LMG1210 IC 再次放大。 是否有具体原因？ 使用该功率电阻器、我甚至没有使用100V 的容量。 I 将电压提高到20-30V。 但 IC 停止提供适当的输出。 两次、低侧开关正常工作、只有高侧驱动部分损坏。
