工具与软件：
您好、TI 专家！
我在使用驱动芯片 UCC21530-Q1时遇到了三个问题、需要您的专业建议、如下所示：
1.根据产品说明书第8.3.4章的内容、驱动器输出具有使用内部上拉 NMOS 的内部栅极电压增强器功能。 我的问题是何时打开上拉 NMOS 以及何时关闭上拉 NMOS？
2.如何判断是否适合打开上拉 NMOS、因为我觉得驱动芯片测量不到 MOS 的栅极电压就知道米勒电压下降的时间。
3.有一个异常现象:在双脉冲测试期间(下 MOS 作为目标器件,上 MOS 与电感短路),当增大 DC-link 高电压时,上 MOS 的栅极电压会下降到0V 以下,而不是0V。
我们的驱动器设计与数据表中的示例电路相同、您可以参阅下图。
谢谢您~
尊敬的 Wang：
感谢您关注我们的器件。
Unknown 说：1. 根据产品说明书中第8.3.4章的内容、驱动器输出具有使用内部上拉 NMOS 的内部栅极电压增强器功能。 我的问题是何时打开上拉 NMOS 以及何时关闭上拉 NMOS？
NMOS 和 PMOS 同时上电。 当输出上升时、NMOS 的电阻路径最小、允许更多电流流动。 当 MOSFET 的栅极正在充电时、该 NMOS 的栅源极电压将减小。 此时 PMOS 提供的电阻路径最小、NMOS 关断。
Unknown 说：2. 如何检查是否适合打开上拉 NMOS、因为我认为驱动器芯片无法测量 mos 的栅极电压、从而知道米勒压降周期。
请参阅上面的问题1答案。
Unknown 说：3. 有一种异常现象：在双脉冲测试期间(下 MOS 作为目标器件、上 MOS 与电感器短路)、当增大 DC 链路高电压时、上 MOS 的栅极电压将降至0V 以下、而不是0V。
高侧 MOSFET 是否从栅极与源极短路？
您能否分享有关测试的更多详细信息、例如设置/图表和波形？
谢谢！
此致、
Hiroki
尊敬的 KaiKai：
我在左侧没有看到绿色的 CH4接地参考标签、因此我无法确认负偏置电平。 通道4卡舌是否直接位于2卡舌后面？
是否如图41所示使用了 VZ 二极管和 CZ 电容器？ 该电路需要几个周期性周期才能充电、在双脉冲测试期间无法正常工作。 您或许能够发送5个或6个更小的脉冲来增加电感器电流、该电流也会对 CZ 充电、并在最后一个脉冲上观察负电源。
此致、
Sean
尊敬的 KaiKai：
再说一次、这是一个初始条件。 应在几个开关周期后分析这些电压、而不是在直流条件下或单个脉冲之后。 自举电源要求低侧开关闭合才能充电。
在直流情况下、HV_DC 链路可能处于悬空状态、并通过泄漏路径和齐纳二极管缓慢上拉至22.5V 至4.7V。
此致、
Sean
尊敬的 KaiKai：
如果高压直流链路悬空、则它不是具有充电路径的完整电路。 SW 的浮动电压应与 VDD 的电压和 Cboot 的 IC 电压相关、如红色箭头所示。
如果该引脚悬空、则由于高侧 FET 的反向体二极管、HV 直流链路应接近 SW 电压。 可能这也是最后一个1.5V 的二极管压降、从22.5V 降至22V、再降至19.5V、降至18V。
关于较大电容具有较大电压的原因、我不知道答案。 我认为可以使用浮动软件充电至18V、但 CDC 不应该保持 HV 直流链路电压为0V。
可能随着时间的推移、直流栅极驱动器的电源电流会为 CDC 与 Cboot 并联充电、因此它们不会遵循电容分压器。
为什么这是一个问题？ 经过几个开关周期后、不会产生正确的电压？
-肖恩
