工具与软件：
嗨、专家
我将按照以下设置测试 BQ25720、但 VSYS 在重负载时始终会下降。
测试条件：
VIN = 20V；
VSYS_MIN=12.3V
ISYS=0A 至6A；
IBAT = 0A；
JP3=4S；
测试结果：
| VSYS (V) | ISYS (A) |
| 12.43. |
0 |
| 12.28. |
1. |
| 12.28. |
2. |
| 12.27. |
3. |
| 12.26. |
4. |
| 11.71. |
5. |
| 9.64 |
6. |
如您所见、当 ISYS 增加到6A 时、VSYS 降至9.64V。 它是否达到任何保护阈值？ 或者、我必须更改任何设置才能解决该问题？
请查看随附的寄存器文件以供参考。 谢谢。
您好 Allen：
我认为这个问题与电源要求有关。
输入电流限制为3250：
输入功率：65W
输出功率：57.84W
效率高达89%、预期效率约为90-95%(这可能与测量功率的方式有关)
建议增加输入功率以支持输出功率。
此致、
Christian。
您好、Christian：
我启用了所有 ADC、发现 当充电器状态 "处于 IINDPM"时、输入电流读回将钳位在2950mA。
因此、我禁用 EN_IIN_DPM 以不钳制输入电流、它也能解决 VSYS 压降问题、但我仍想知道为什么 在2950mA 时触发 IIN_DPM、甚至将 IIN_HOST 增加到6350mA？
随附了寄存器文件以供参考。 谢谢。
测试条件：
Vin = 5V；
VSYS_MIN=12.3V
IBAT = 0A；
JP3=4S；
ISYS=1.1A (非 (位于 IINDPM 中)
e2e.ti.com/.../12.3Vo_5F00_1.1A.txt
ISYS=1.2A (在 IINDPM 中)
e2e.ti.com/.../12.3Vo_5F00_1.2A.txt
ISYS=1.2A (禁用 EN_IIN_DPM)
e2e.ti.com/.../12.3Vo_5F00_1.2A_5F00_IINDPM-Disable.txt
此致、
Allen
您好 Allen：
您已启用 EN_EXTLIM。
启用此功能时、输入电流限制由 ILIM_HIZ 引脚和 IIN_DPM 寄存器的较低值设置。 EVM 上的 ILIM_HIZ 引脚限制为大约3A。 如果您禁用此位、充电器应仅依赖于寄存器中设置的输入电流限制。
此致、
Christian。
