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您好、TI 专家
客户应用了 BQ24610、制作了电路板并对其进行了测试、但 ACFET P 沟道功率 MOSFET 中存在发热问题。
审核内容如下。
1.使用了 BQ24610 EVM 电路。
下面是电路图。 请参考它。 (ACFET_Q2: 这是 BQ24610EVM 中使用的 SI4401BDY-T1 (Vishay)。)
2、电气规范
-输入: 24V/最大 10a
-负载: 24V/最大 6.5A.
3、问题:在室温下对 V-SYS 施加24V/6.5A 负载时25℃ ,ACFET(Q2_SI4401BDY)元件的温度超过75℃。
问题1)如果 R24、R21值降低或处理0欧姆、是否会减少 ACFET (Q2_SI4401BDY)元件的发热?
问题2) Q1和 Q2的元件规格足以实现最大10.5A、但我是否应该进一步增加容量?
问题3)是否有方法可以将 ACFET (Q2_SI4401BDY)元件的温度降低到65℃ 以下?
请检查。 谢谢