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器件型号：BQ28Z610 工具与软件：
大家好！
1) 1) 关于参考手册(13.3.6制造位4 (FET_EN))
FET_EN 的默认值描述为"0"、如果该位未更改为"1"、则 BQ28Z610的 CHG 和 DSG 端子都将不工作、除非外部 FET 以"0"V OUTPUT 导通？
我需要发出命令0x0021还是使用 I2C 设置闪存地址0x43c0？
我在数据表中没有看到任何设置"1"的说明、因此我有疑问。
2) 2) 写入数据存储器
充电电压、恒定电流、恒定电压等的设置值将使用 I2C 从目标板的 CPU 写入数据存储器。
重写数据时为1
Ex (0x43c0的位4 (ET_EN)设置为"1")
第一个数据包 AA 3E C0 43
第二包 AA 40 00 01
第三个数据包 AA 60 CS #(CS=校验和(C0、43、00和01))
第4包 AA 61 06
正在发送一组(4个)数据包。
当我想设置此地址序列时、我需要一个延迟还是其他问题？
首次数据重写成功
第二个数据包正常流动
第三个数据3E 处的 NACK 响应
包括第二个数据在内的数据不会重新写入。
然后、如果您从头开始重新开始
数据包通常最多流至第三个数据、并且在第四个数据的3E 处生成 NACK 响应。
最高到第二个数据的数据被重新写入。
之后、每次重新开始时、可重写的数据数量都会逐个增加。
最后、完成所有写入。
这是一种奇怪的行为。
在1次数据写入操作后尝试中断(在发送数据包06 # 4之后)。
如果您在1次数据写入操作之后执行一个步骤、那么它似乎能够可靠地写入。
延迟：即使将其设置为大约50ms、也没有影响。
您能给我提供有关写入和读取数据存储器的信息吗？
很抱歉这么长的帖子。
此致、
Ryusuke
