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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1418698/tps1hc30-q1-tps1hc30-q1-faulr-table
工具与软件：
尊敬的 TI 团队：
我对故障表有疑问。
VOUT 的重点是什么？ 这意味着 VDS 还是？
正常情况下：MOSFET=ILOAD*RON、它似乎是高侧 VOUT 上的 VDS。
过流条件下：VOUT MOSFET=MOSFET-ILIM*LOAD、也可视为高侧 VBB 上的 VDS。
您能解释一下 VOUT 的要点吗？ 1还是2？
谢谢你。
BR、
小提琴
Viola、您好！
在此情况下、VOUT (2)是正确的。 测试器件时、用户可以探测 VOUT (2)以验证故障表中存在的内容。 第1点是内部的、无法在测试中供用户参考。
艾伦
您好、Alan：
但为什么 Vout=ILOAD*Rdson、而不是 ILOAD*Rload 在正常情况下？
而 VBB 在过流条件下为 shy Vout=Rload-Ilim*Rload？
这两个看起来似乎是 VDS、对吧？
尊敬的 Viola：
对此采取后续行动。 将返回到 EOD 10/1
此致！
对不起混淆!
正常运行条件应标记为 VBB - ILOAD * RON
那么过流情况怎么样？ 这似乎也不正确。
请帮助您澄清。
TI 会更新正确的数据表吗？
过流条件为 ILIM X RLOAD 在数据表中这是一个错误。 很快、我们将成立一个完整的团队、并与系统组合作以缓解这些变化。
我对延误和误解感到抱歉。
此致、
谢谢。
如果 TI 已更新最新的数据表。 请与我联系。
