[参考译文] CSD25501F3：MOSFET 的低漏电流

大家好、Mahfoud：

感谢您关注 TI FET。 请通过以下链接查看技术文章。 第一部分介绍了 TI FET 中使用的不同类型的栅极 ESD 保护。 第二和第三篇文章涵盖了数据表中不包含的 MOSFET 参数的温度和电压依赖性。 具有单端栅极 ESD 保护的 TI FET 通常具有最低的漏电流。 那些具有背靠背栅极 ESD 保护的器件具有最高的漏电流。 没有栅极 ESD 保护的 FET 通常具有较低的漏电流。 您提到的是 VDS、但没有提到 VGS。 什么是栅极驱动电压？

CSD25501F3是一种额定电压为-20V 的栅极结构、具有单端 ESD 保护、采用 LGA (芯片级)封装的-20V PFET。 该器件的独特之处在于其具有一个栅极钳位电阻器、该电阻器与栅极 ESD 二极管配合使用、可将内部 VGS 钳位在-6V。 但是、随着负极性中 VGS 的幅度增加、IGSS 会随着 ESD 二极管的行为类似于齐纳二极管并开始传导电流而增加。 VGS =-6V 时、最大 IGSS < 50nA、但在 VGS =-16V 时、最大 IGSS 会增加到1mA。 如果负极性下的 VGS 幅度< 6V、该器件是不错的选择。  

CSD25310Q2是一款额定栅极电压为+/-8V 且无 ESD 保护的-20V PFET、采用2x2mm SON 封装。 与 CSD25501F3相比、这是一个泄漏电流更高的成本器件。

一个很好的替代产品是 CSD25485F5、即具有-12V 栅极额定值和单端 ESD 保护的-20V PFET。 如果可以使用更高的导通电阻、那么具有-12V 栅极和单端栅极 ESD 保护的 CSD25480F3 -20V PFET 可能是不错的选择。 TI 不会在数据表中提供泄漏与 VDS 和 VGS 之间的关系曲线。 如果您想要使用某个特定的 FET、我们可能会在产品开发过程中收集数据。 如果您有问题或我能否提供其他信息、请查看并告诉我。  

栅极 ESD 保护： https://www.ti.com/lit/pdf/sszt291

温度相关性： https://www.ti.com/lit/ta /sszt206/sszt206.pdf

电压相关性： https://www.ti.com/lit/pdf/sszt144

此致、

约翰·华莱士

您好！

感谢您的快速响应、

关于我感兴趣的泄漏电流、是当 MOSFET 处于阻断状态时。

MOSFET CSD25485F5也适用于我们的应用。 如果能够在 三款 MOSFET 的产品开发过程中收集您的数据、我将不胜感激： CSD25485F5 、 CSD25310Q2 和 CSD25501F3 .

感谢您的帮助

此致、

尊敬的 Mahfoud：

感谢您的更新。 您还能告诉我工作温度范围吗？ 我无法在未签署 NDA 的情况下提供实际的特征评定数据。 不过、我可以提供一些信息、例如归一化曲线和平均值。

谢谢！

John

尊敬的 John：

感谢您的留言。

工作温度范围为-40°C 至+70°C。 同时、如果您能提供归一化曲线和平均值、我将不胜感激。 我们将就 NDA 流程与采购部门协调。

再次感谢您的帮助。

此致

Mahfoud,

约翰到星期二,当他回来的时候,他会回到你身边。

在平均时间你可以使用标准化的曲线在链接约翰发送在他的第一封电子邮件

谢谢

Chris Bull