工具与软件：
您好！
我对 BQ25820充电器 IC 有几个问题：
是否有适用于 BQ25820的计算器/Excel 工作表？
当输入电压为48V、输出电流为20A 且输出电压为42V、使用200kHz 的开关频率时、实际可期望的效率是多少？
根据 BQ25820数据表(17-29)中的公式、我 使用单个 SIR680LDP 计算出高侧 FET 损耗约为5W 至6W。
PowerPAK SO-8芯片中的价值太大。 是否有什么建议可以替代使用？
是否可以将 GaN FET 与 BQ25820配合使用？如果可以、在该应用中使用 GaN FET 是不是一个不错的选择？
占空比将约为0.9、可以接受吗？
BR
Carsten
Christian、您好！
感谢您的答复。
使用 BQ25756计算器数据表(输入电压：48V、输出电压：42、输出电流：20A、L：6.8uH)以及评估板上使用的 SiR680LDP 中的参数、我得到~99%。 这似乎太好了。 此外、FET 损耗大大低于我使用 BQ25820数据表中的公式计算出的损耗。 将订购评估并进行测量。
另一个问题：
(min)数据表7-1中列出了 BQ25820数据表中的 R_D38值。 使用 R_DCR 值较低的电感器的后果是什么。 当 R_DCR 高于此最小值时、很难找到具有足够高额定电流的电感器。 例如、Bourns：PQ2614BLA-6R8K
对于此应用、我不需要输入电流限制、 负载将直接连接到电池。 在进行充电时、负载断电。 因此、我的原理图如下所示：
可以接受吗？ 以及应如何连接 ACN、ACP、SYS 和 BATSRC
Carsten、您好！
关于 R_D872：最坏的情况下、可使用几个 MR 的(min)功率电阻提高 R_DCR 的值？/报价]我必须检查这是否可行。 我要联系设计团队、 在收到设计团队的反馈后、我会提供更新信息。
我还建议添加一个二极管、以便在输入端实现反向电流阻断。
此致、
Christian。
