[参考译文] BQ25798：TS 线路的 ESD 保护

尊敬的 JEFF-SAN：

下面是对目前为止在交换中安装在 TS 线上提供 ESD 保护的 RC 滤波器的电容的理解。
请确认这一理解是否正确。

1.不建议使用大于0.01 μF 的电容。
  这是因为 RC 时间常量更大、并且充电在异常温度条件下停止工作所需的时间更长。
  因此、充电可能会在适当的温度范围之外继续进行。

2. TS 线路电容器电容限值：可安装在 TS 线路上的最大电容为0.01uF。

3.充电关断时间的计算：TS 线路中 RC 滤波电路停止充电的延迟时间可通过以下公式得出：
  τ= 3 * RC (τ：时间常数、R：电阻值、C：电容)

此致、
Kagawa

尊敬的 JEFF-SAN：

1) 1)在 TS 线路上安装 RC 滤波器电路是否存在任何问题？
  如果以上情况不是问题、那么允许的最大 RC 时间常数是多少？

2) 2)在什么情况下需要安装 BQ25798EVM 中属于 DNP 的器件(D10、C42、R16、D9)？
  这些元件默认不安装、但我想知道设计意图。



1.请告诉我们如何减少连接电池时的浪涌电流。
2.请提供您的意见、下图所示的电路配置是否足够、或者是否需要额外的元件。
bq25798连接到电池时允许的浪涌电流是多少？ (BAT 端子、BATP 端子)



此致、
Kagawa

尊敬的 JEFF-SAN：

1. 您能否告诉我 TS 线上允许的最大 RC 时间常数是多少？

2. 我不完全了解需要 BQ25798EVM 的 DNP 元件(D10、C42、R16、D9)的情况。
请告诉我需要在哪些条件下实施这四个组件。
如果您能解释这些元件默认置于非安装状态的设计意图、我也将不胜感激。

3. 您提到"R125已设置为高于0Ω 以减慢 shipFET 的开通时间"。 这是指原理图上的 R125、这是否正确？



此致、
Kagawa

尊敬的 JEFF-SAN：

我们正在考虑将 TPS25947EVM 放置在 BQ25798EVM 输入之前的配置、以控制是否允许或禁止从主机 MCU 到 BQ25798的电源输入。
具体而言、BQ25798EVM 组装在数据表第31页图9-2所示的配置中、单输入端直接连接到 VBUS、而不使用 ACFET-RBFET、电子保险丝(TPS259470A)放置在 BQ25798EVM 的 VIN1输入侧。
然而、TPS259470A 的 FLTb 引脚在电源输入后下降、我们很难找到原因。
请注意、输入电源未处于过压/恒定电压/过流状态。
此外、断开 BQ25798的 VBUS 线路和 TPS25947EVM 的 VOUT 将停止此现象。
有什么想法、了解为什么 FLTb 在电源输入后脱落？


TPS25947EVM：
- OVLO 电压:15.38V 检测,13.97V 返回
- OVLO 电压:检测到15.38V ,释放13.97V
- ILIM 电阻：3kΩ(输入电流限制在1.11A)







-输入电源后_FLT 引脚瞬间掉电。
-输入功率低于 OVLO/UVLO/ILIM 阈值。
-可通过断开 BQ25798EVM 的 VBUS 线(VIN1引脚)和 TPS25947EVM 的 VOUT 引脚来解决该问题。







此致、
Kagawa

尊敬的 Kagawa：

BQ EVM 上是否仍启用了多路复用器 FET？  您是否有用于测量输入电流的电流探头？  浪涌电流尖峰会超过 ILIM_HIZ 设置？

此致、

Jeff

尊敬的 JEFF-SAN：

下面附加了其他电流测量结果以及电流原理图和测量点。

我们无法确定每个 TPS259470A 的 FLTb 引脚降至低电平现象的原因。
在将来自主机 MCU 的使能信号输入到 TPS25947EVM 的 EN/UVLO 后、FLTb 引脚降至低电平130ms。
ILIM_HIZ 引脚的电阻常数设置为 IINDPM = 1.25A。
我们已检查测得的波形、未发现任何过压或欠压情况、也未看到电流高于 BQ25798和 TPS259740A 规定的电流限值。
此外、下面的波形显示、当电流流向 SLOT1中 BQ25798的 VBUS 引脚时、SLOT2中 TPS259470A 的 FLTb 引脚在时序期间变为低电平。 也会出现反向情况。
如果 BQ25798的 VBUS 线和 TPS25947EVM 的 VOUT 断开、则不会再发生这种现象。
对于为何 FLTb 在电源输入后下降、是否有任何可能的解释？

测量波形
(1)在测量 SLOT1侧的 BQ25798 VBUS 端子电流时


(2)当测量 SLOT2侧的 BQ25798 VBUS 端子电流时


(3)测量直流插孔(DC12V)基极的电流时






您过去查看过的电路配置、这会在输入源丢失的情况下断开电池与 BQ25798的 BAT 和 BATP 的连接、但在存在 VBUS 电源的情况下连接电池时、会从电池产生浪涌电流、并连接到 BQ25798的 BAT/BATP 端子。 (最大18.01A、13.53μs)
我们过去听说过、最大值被指定为10A、持续1秒、但是波形是否有任何问题？
我们将向您发送一份概述测量条件等的 PDF 报告 请检查它。







此致、
Kagawa

尊敬的 JEFF-SAN：

TPS259470A 的 RILM 电阻设置为560Ω、电子保险丝的 ILIM 调节为5.954A。 我们还通过在 ITIMER 引脚和 GND 之间安装一个0.1uF 电容器来测量波形。
但是、FLT 端子处于低电平、无法看到任何改善。
即使在电流波形中未看到反向电流、FLT 引脚变为低电平的原因未知。
如果 BQ25798的 VBUS 线和 TPS25947EVM 的 VOUT 断开、则不会再发生这种现象。
请告诉我、除了下面的波形、是否有任何其他引脚需要监测。
此外、对于电源输入后 FLTb 引脚为何会下降、您有什么想法吗？ 我们认为不会导致过流。

测量波形
(1)在测量 SLOT1侧的 BQ25798 VBUS 端子电流时


(2)当测量 SLOT2侧的 BQ25798 VBUS 端子电流时


(3)测量直流插孔(DC12V)基极的电流时



此问题与以下主题相关
BQ25798：肖特基势垒二极管-电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1392087/bq25798-schottky-barrier-diodes

在本问题的前一版本中、当我询问肖特基势垒二极管的放置情况时、我被告知、这些二极管应尽可能靠近 SW 和接地、并且如果可能、不使用过孔。
但是、在 BQ25798EVM 中、相关的 D4和 D8通过过孔从电路板的背面连接、这与我们收到的答案不一致。
我们目前正在设计原图、不确定肖特基势垒二极管的放置应采用哪种方法。
建议将肖特基势垒二极管放置在什么位置？







此致、
Kagawa

尊敬的 JEFF-SAN：

您能否说明肖特基势垒二极管在 BQ25798EVM 表面视图中的建议放置位置？
如果这些二极管放置在表面(L1侧)、您能否介绍一下可以在 BQ25798EVM 布局上移动的器件？
请提供建议的布局图、包括肖特基势垒二极管。



此致、
Kagawa

尊敬的 JEFF-SAN：

此问题与以下帖子相关。
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1041663/bq25798-ocp-and-ovp-timing?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=bq25798%2525252520ovp

上述文章回答了 OVP 和 OCP 检测之间的时间以及状态变化、但我想了解以下条件下的相同信息：
1.在 TS 线上的热敏电阻检测到温度变化后、BQ25798需要多长时间才能报告每个温度状态(TS HOT、TS WARM、TS COOL、TS COLD)？
2.从 BQ25798检测到电池插入或移除到状态寄存器(REG1D_REG2D2寄存器中的 VBAT_PRESENT_STAT Charger_Status_)需要多长时间？
3.从向 BQ25798的 Charger_Status_引脚施加有效输入电源到报告输入电源的电源正常状态(REG1B_REG0寄存器中的 PG_STAT)之间的时间是多少？

此致、
Kagawa

尊敬的 JEFF-SAN：

从以下每个安全计时器的失效状态到相应状态位报告1 (安全计时器到期)的时间是多少？
涓流充电计时器(REG1E_REG3 Charger_Status_寄存器中的 TRICHG_TMR_STAT 位)
2.预充电计时器(REG1E_REG3 Charger_Status_寄存器中的 PRECHG_TMR_STAT 位)
3.快速充电计时器(REG1E_REG3 Charger_Status_寄存器中的 CHG_TMR_STAT 位)

此致、
Kagawa