请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：BQ25798 主题中讨论的其他器件：、 TPS25947EVM、TPS25947
工具与软件：
为了实现 ESD 保护、我想在 bq25798的 TS 线上实施一个 RC 滤波器电路。 (100Ω、0.1μF)
我考虑随附电路图中所示的配置、但如果您对该配置有任何疑问、请告知我。 
此致、
Kagawa
工具与软件：
为了实现 ESD 保护、我想在 bq25798的 TS 线上实施一个 RC 滤波器电路。 (100Ω、0.1μF)
我考虑随附电路图中所示的配置、但如果您对该配置有任何疑问、请告知我。
此致、
Kagawa
尊敬的 JEFF-SAN：
1) 1)在 TS 线路上安装 RC 滤波器电路是否存在任何问题？
如果以上情况不是问题、那么允许的最大 RC 时间常数是多少？
2) 2)在什么情况下需要安装 BQ25798EVM 中属于 DNP 的器件(D10、C42、R16、D9)？
这些元件默认不安装、但我想知道设计意图。 
1.请告诉我们如何减少连接电池时的浪涌电流。
2.请提供您的意见、下图所示的电路配置是否足够、或者是否需要额外的元件。
bq25798连接到电池时允许的浪涌电流是多少？ (BAT 端子、BATP 端子) 
此致、
Kagawa
尊敬的 Kagawa：
关于3、10A、最多1节电池、如下所示：
关于1和2、我曾让另一位客户增加 R125>0欧姆以减慢 shipFET 导通时间。 我不记得他使用了多大的电阻器。
此致、
Jeff
尊敬的 JEFF-SAN：
1. 您能否告诉我 TS 线上允许的最大 RC 时间常数是多少？
2. 我不完全了解需要 BQ25798EVM 的 DNP 元件(D10、C42、R16、D9)的情况。
请告诉我需要在哪些条件下实施这四个组件。
如果您能解释这些元件默认置于非安装状态的设计意图、我也将不胜感激。
3. 您提到"R125已设置为高于0Ω 以减慢 shipFET 的开通时间"。 这是指原理图上的 R125、这是否正确？ 
此致、
Kagawa
尊敬的 JEFF-SAN：
我们正在考虑将 TPS25947EVM 放置在 BQ25798EVM 输入之前的配置、以控制是否允许或禁止从主机 MCU 到 BQ25798的电源输入。
具体而言、BQ25798EVM 组装在数据表第31页图9-2所示的配置中、单输入端直接连接到 VBUS、而不使用 ACFET-RBFET、电子保险丝(TPS259470A)放置在 BQ25798EVM 的 VIN1输入侧。
然而、TPS259470A 的 FLTb 引脚在电源输入后下降、我们很难找到原因。
请注意、输入电源未处于过压/恒定电压/过流状态。
此外、断开 BQ25798的 VBUS 线路和 TPS25947EVM 的 VOUT 将停止此现象。
有什么想法、了解为什么 FLTb 在电源输入后脱落？
TPS25947EVM：
- OVLO 电压:15.38V 检测,13.97V 返回
- OVLO 电压:检测到15.38V ,释放13.97V
- ILIM 电阻：3kΩ(输入电流限制在1.11A) 
-输入电源后_FLT 引脚瞬间掉电。
-输入功率低于 OVLO/UVLO/ILIM 阈值。
-可通过断开 BQ25798EVM 的 VBUS 线(VIN1引脚)和 TPS25947EVM 的 VOUT 引脚来解决该问题。 
此致、
Kagawa
尊敬的 JEFF-SAN：
下面附加了其他电流测量结果以及电流原理图和测量点。
我们无法确定每个 TPS259470A 的 FLTb 引脚降至低电平现象的原因。
在将来自主机 MCU 的使能信号输入到 TPS25947EVM 的 EN/UVLO 后、FLTb 引脚降至低电平130ms。
ILIM_HIZ 引脚的电阻常数设置为 IINDPM = 1.25A。
我们已检查测得的波形、未发现任何过压或欠压情况、也未看到电流高于 BQ25798和 TPS259740A 规定的电流限值。
此外、下面的波形显示、当电流流向 SLOT1中 BQ25798的 VBUS 引脚时、SLOT2中 TPS259470A 的 FLTb 引脚在时序期间变为低电平。 也会出现反向情况。
如果 BQ25798的 VBUS 线和 TPS25947EVM 的 VOUT 断开、则不会再发生这种现象。
对于为何 FLTb 在电源输入后下降、是否有任何可能的解释？
测量波形
(1)在测量 SLOT1侧的 BQ25798 VBUS 端子电流时 
(2)当测量 SLOT2侧的 BQ25798 VBUS 端子电流时 
(3)测量直流插孔(DC12V)基极的电流时 
您过去查看过的电路配置、这会在输入源丢失的情况下断开电池与 BQ25798的 BAT 和 BATP 的连接、但在存在 VBUS 电源的情况下连接电池时、会从电池产生浪涌电流、并连接到 BQ25798的 BAT/BATP 端子。 (最大18.01A、13.53μs)
我们过去听说过、最大值被指定为10A、持续1秒、但是波形是否有任何问题？
我们将向您发送一份概述测量条件等的 PDF 报告 请检查它。 
此致、
Kagawa
尊敬的 JEFF-SAN：
TPS259470A 的 RILM 电阻设置为560Ω、电子保险丝的 ILIM 调节为5.954A。 我们还通过在 ITIMER 引脚和 GND 之间安装一个0.1uF 电容器来测量波形。
但是、FLT 端子处于低电平、无法看到任何改善。
即使在电流波形中未看到反向电流、FLT 引脚变为低电平的原因未知。
如果 BQ25798的 VBUS 线和 TPS25947EVM 的 VOUT 断开、则不会再发生这种现象。
请告诉我、除了下面的波形、是否有任何其他引脚需要监测。
此外、对于电源输入后 FLTb 引脚为何会下降、您有什么想法吗？ 我们认为不会导致过流。
测量波形
(1)在测量 SLOT1侧的 BQ25798 VBUS 端子电流时 
(2)当测量 SLOT2侧的 BQ25798 VBUS 端子电流时 
(3)测量直流插孔(DC12V)基极的电流时 
此问题与以下主题相关
BQ25798：肖特基势垒二极管-电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1392087/bq25798-schottky-barrier-diodes
在本问题的前一版本中、当我询问肖特基势垒二极管的放置情况时、我被告知、这些二极管应尽可能靠近 SW 和接地、并且如果可能、不使用过孔。
但是、在 BQ25798EVM 中、相关的 D4和 D8通过过孔从电路板的背面连接、这与我们收到的答案不一致。
我们目前正在设计原图、不确定肖特基势垒二极管的放置应采用哪种方法。
建议将肖特基势垒二极管放置在什么位置？ 
此致、
Kagawa
尊敬的 JEFF-SAN：
您能否说明肖特基势垒二极管在 BQ25798EVM 表面视图中的建议放置位置？
如果这些二极管放置在表面(L1侧)、您能否介绍一下可以在 BQ25798EVM 布局上移动的器件？
请提供建议的布局图、包括肖特基势垒二极管。 
此致、
Kagawa