[参考译文] UCC21520：设计的栅极驱动器的收敛问题

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1427595/ucc21520-convergence-problem-of-a-designed-gate-driver

器件型号：UCC21520

工具与软件：

尊敬的相关人员：

大家好、我将使用偏置电路设计一个半桥栅极驱动器电路、以驱动800V MOSFET。基本思路是在输入为高电平时在 MOSFET 的 GS 引脚上生成偏置的20V 电压、并在输入为低电平时在 MOSFET 的 GS 引脚上生成偏置的-4V 电压。现在电路在 没有 MOSFET 的情况下工作正常、因为连接了不带 MOSFET 的 TI simulation_hf_bias。 但是、当我使用 MOSFET 将 MOSFET 添加为 TI simulation_hf_bias 时、仍然会出现收敛问题。您能帮我弄清楚吗？

BTW、我在贵公司网站上找不到任何800V MOSFET。您是否在销售这种 MOSFET？

此致、e2e.ti.com/.../TI-simulation_5F00_HF_5F00_bias-without-mosfet.tsce2e.ti.com/.../TI-simulation_5F00_HF_5F00_bias-with-mosfet tsc

文凡凯

11 个月前

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 2379140 points

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尊敬的 Wen：

感谢您关注我们的产品并与我们取得联系！

可以通过执行以下操作来解决收敛问题：

选择"Analysis"->"Set Analysis Parameters"
选择手部
选择"Open"
选择"Transient Convergence Solutions"。 PRM

这应该调整分析参数以帮助解决收敛问题。

[quote userid="627675" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1427595/ucc21520-convergence-problem-of-a-designed-gate-driver BTW,我在贵公司网站上找不到任何800V MOSFET。您是否在销售这种 MOSFET？

遗憾的是、我们没有适用于该电压的 MOSFET 额定值。我们最高额定电压的 MOSFET 为100V。

希望这对仿真问题有所帮助。

此致、

Hiroki

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 2379140 points

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感谢您的答复和帮助！现在它可以运行、但我可以要求调整这些参数的最新技术吗？从我能说的角度讲、我认为它会牺牲准确性。这会将仿真驱动到远离真实硬件的位置吗？谢谢！

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 2379140 points

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尊敬的 Wen：

我很乐意提供帮助！

这是一个很好的问题。此 PRM 会将直流相对误差从1%增加到10%。

减小"Analysis Parameters"中的此值将提高精度。

请根据您的喜好使用这些参数。

点击"Help "按钮将弹出一个窗口、该窗口描述了每个参数的作用及其对仿真的影响。

希望这对您有所帮助。

此致、

Hiroki

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