[参考译文] UCC28C58：UCC28C58

谢谢你。 我已经通过私人消息将我的原理图发送给了您。 您能检查一下吗、告诉我。

您好、电路具有负载电阻器...它是 R18和 R45并联组合、与网络标签 IS_CT 相连...(我需要6.5欧姆、因此我需要两个13欧姆并联)... CT 的复位也由 D2和 D3 (齐纳+二极管组合)处理

您好、很抱歉、请忽略13欧姆的措辞。 我的意思是  R18和 R45并联组合代表 CT 的负载电阻。 它们位于 CT 的引脚3和引脚4之间、不过就像您指出的、位于二极管之后。 感谢您观看这个演示。 我将尝试在这里放置一个占位符、并在测试期间进行验证。  谢谢你。  

此外、您能否告诉我： 在 MOSFET 电流为零或反向的情况下、我的设计要求开启 MOSFET。 例如、如果输入端的直流连接器反向、我想打开 MOSFET、让电流从 MOSFET (而不是 MOSFET 的体二极管)流出。  在这两种情况下、MOSFET 是否会以最大占空比导通？

你好、谢谢。 在我的设计中、从原理图中可以看到、控制器 IC 的 VDD 独立于 HV 电源。 我的问题是、HV 电源接通、但控制器电源在18V 电压下完好无损(控制器应正常工作)。

现在、当高压电源反向时、电流会流过体二极管、CT 也会测量到负电流、CS 引脚上的电压也会为负、这种情况下、控制器会以最大占空比导通 MOSFET 吗？

您好、感谢您的分享、但我的问题的答案仍然不清楚。 抱歉、但我想知道当反向电流流过体二极管时(在本例中、假设它是来自电源的恒定电流)、控制器是否会以最大占空比开启 MOSFET、因此反向电流会流 过 MOSFET 通道而不是体二极管？ 我只想知道、如果反向电流恒定、控制器是否会以最大占空比开启 FET？

您好、谢谢、但我认为我没有清楚说明问题。 我的问题针对的是 PV 等恒流应用、此类应用中的短路电流非常接近其标称值或 MPP 电流。 所以、我们的目的是当转换器的 HV 电源反向、且电流从 FET 的体二极管流出时、我们需要改为打开该通道。 由于它是一个恒流应用、所以不会损坏 FET。  

那么、我的理解是正确的、在此情况下、当控制器检测到负电流或反向电流时、会以最大占空比(控制器由独立的+18V 供电)打开 FET？ …μ A

大家好、我不想停止反向电流、只是想确保该通道从体二极管接收该电流。 由于这是一种恒流应用、因此可以让反向电流流经通道(而不是体二极管)长达偶数小时。 比体二极管更可靠。

1.因此、当有反向电流流动时、控制器会确保以我认为的最大占空比开启通道？

2.可以在您之前建议的其他 UCC28C56的 EVM 中查看 UCC28C58的功能吗？

您好、谢谢。
我之前已经通过私人消息分享了原理图。

我未能实现低于0.3V 的负电压...在这种情况下、我将必须使用外部电路来检测反向电流并永久开启该通道。