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[参考译文] TPS22997:CT 波形问题

Guru**** 1797760 points
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1429543/tps22997-ct-waveform-question

器件型号:TPS22997

工具与软件:

大家好、团队成员:

客户正在测量 CT 和 GND 之间的电压、他们发现 CT 的波形为:

他们想知道为什么 CT 波形如此。 为什么 CT 最终会变为与 GND 相同的电压电势

他们还在稳定状态下测量 CT 到 Vout、发现 CT-Vout 是-3.3V、我认为应该为正3.3V、为什么会这样?

您能给我们介绍一下电荷泵的结构以及它是如何与 CT、Vout 和 GND 连接的吗? (数据表中的结构不是很清晰)。

谢谢!

Yishan Chen。

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    您好、Yishan:

    CT 引脚使用与 VOUT 成比例的电流源对电容器充电。

    一旦 GATE 达到高电平(GH)、它将对电容器放电。 这意味着栅极电压已达到 VOUT 规定的限值、并且 FET 得到完全增强。

    CT 引脚电压并不表示栅极电压。  

     谢谢  

    Amrit  

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    尊敬的 Amrit:

    CT 电容器的参考接地是什么、它是否会像 bootcap 那样从接地切换到 Vout?

    请给我们更多关于电荷泵在负载开关中的工作原理的见解吗? 为什么我们测量 CT 和 Vout 之间的电压是-3.3V?

    在 MOSFET 得到完全增强后、如果我们考虑 GS 结电容器的漏电流、我们是否需要在电压下降到一定的电平时为结电容器再充电?

    感谢您的支持。

    Yishan Chen

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    您好、Chen、  

    TPS22997具有带内部电荷泵的集成开关。

    CT 引脚可为您提供可编程压摆率。 我认为不需要测量相对于 VOUT 的电压。

    在完全增强 MOSFET 后、如果考虑 GS 结电容器的漏电流、我们是否需要在电压下降到一定水平时为结电容器充电?

    无需再为结电容器充电。

    谢谢  

    Amrit