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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1430785/lm5122-highside-and-lowside-mosfet-damage
工具与软件：
您好！
我们将 LM5122用于升压电路、现在高侧 MOSFET 和低侧 MOSFET 均已损坏、请提前查看波形和原理图、如果我们的设计存在任何错误、表示感谢。
原理图：
波形：
MOSFET 规格。
尊敬的 Zhang：
感谢您使用 e2e 论坛。 输出目标电压设置为48V、对吗？ 您还能提供输入电压和最高负载条件吗？
根据这些参数、可以更轻松地审查设计。
有一点我已经可以说明、根据所选的感应电阻、电流限制设置为18.87A。 电感器显示饱和电流限制为15A、因此它可能会在过流保护触发之前饱和、这会导致强电流尖峰、从而损坏 FET。
谢谢、此致、 Niklas
尊敬的 Niklas：
感谢您的 电路分析、根据您的推荐、我们需要选择 电感器的更大连续电流、
电流 超过20A、对吧？
尊敬的梁先生/女士：
是、选择饱和电流高于 18.87A 的电感器。
发生损坏时的测试条件是什么？ 请分享更多波形。
此致、
Feng
