[参考译文] UCC28951-Q1：使用 SiC MOSFET 的 PSFB

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器件型号：UCC28951-Q1
Thread 中讨论的其他器件：UCC28951

工具与软件：

SiC MOSFET 的电源测试

场景：VIN：810VDC、负载：43Adc.

以下是初级 MOSFET 的栅漏源。谐振电感器。变压器漏电感：22uH、匝数比：27、输出电压：23.5VDC。 DCM 引脚接地。 CS 过滤器：1k、1nF。固定延迟方法。自适应延迟接地。

蓝色：初级电流

紫色：同步 FET F

绿色：同步 FET E

黄色：排放源

黄色：B 排放源

黄色：C 排放源

黄色：D 排放源

1. C 和 D 漏源波形看起来是正确的方波,为什么 A 和 B 不正确?

我现在将以 CCM 模式运行同步 FET。我理解 DELEF 延迟电阻现在可能很少关闭、我将尝试进行调整。早些时候、即使在二极管模式下、我也遇到了前沿电流尖峰问题。如何进行故障排除或删除？

3.根据 Excel 的计算,变压器环可能会消失 I reduce DELAB DELCD 值。但如果我添加 Shim。则 DELAB DELCD 的值不断增加。还可以吗？

4.还能做些什么来改进这种设计? 请协助。

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1824760 points

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您好！

您的原理图正在审阅中、我会很快回复您。

此致、

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1824760 points

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您好！

1. C 和 D 漏源波形看起来是正确的方波,为什么 A 和 B 不正确?

>您的 QDD 开关节点计时设置为 ZVS、这就是 QD 漏源和 QC 漏源看起来像方波的原因。

> 您的 Ls 和 Llk 没有足够的能量存储来实现 ZVS QbD、同时您的导通延迟设置不正确。这就是为什么您在 FET QA 和 QB 漏源之间看到振铃而不是方波的原因。

*您需要将导通延迟设置为(Llk +Llk Ls)的谐振频率和开关节点电容的1/4。

*如果您想在这种功率级别实现 ZVS ,则需要增加 Ls 的大小。

*以下链接将带您进入一个应用程序,而不是详细介绍 Ls 大小以及如何设置 FET QA 至 QD 的导通延迟实现 ZVS/谷值开关。 https://www.ti.com/lit/pdf/slua560

>驱动 FET 时通常会出现前沿电流尖峰。唯一的问题是电流检测。您应该能够使用低通 RC 滤波器将其滤除。从电流感应电阻器到 UCC28951的 CS 引脚的1K 和220 pF 应该能实现该效果。

3.根据 Excel 的计算,变压器环可能会消失 I reduce DELAB DELCD 值。但如果我添加 Shim。则 DELAB DELCD 的值不断增加。还可以吗？

>正确的是、减少 QA 和 QB 导通延迟将减少振铃。

>增加 Ls 将为 ZVS 提供更多能量。请注意、它会改变谐振振铃。在复位时序之前、可能需要首先增加匀场电感器。

4.还能做些什么来改进这种设计? 请协助。

>我认为上述建议将会改善 FET QA 和 QB 的电压。

>如果您在 QbD 上使用 Excel 工具,您将获得 ZVS 低至50%的负载。增大 Ls 将使 QbD 能够在更轻的负载下实现 ZVS。

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此致、

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