[参考译文] TPS650864：关于 TPS6508641RSKT 的少量疑问

你(们)好

感谢您的答复。 请澄清以下内容

• 请告诉我们选择的外部降压和升压稳压器是否正常。
• 此外、我们尚未为 MOSFET 和外部降压转换器提供 VSYS 电源。 为降压和 MOSFET 提供5V 输入、为 PMIC 提供升压输出。 这种行为合适吗？
• 请告诉我们为1.8V 选择电感器器件是否可行。 我们在 buck6上的电流消耗约为5A。
• buck6的外部 MOSFET 耗散约为1.2W、当我们计算出结温时、其超过了限值。 外部 MOSFET 是否能够提供所需的电流？
• PMIC 降压转换器2、3、5的反馈引脚必须在输出电容器之前或之后？
• 为什么 GPO3在您共享的已审核清单中被标记为 DNP

您好！  

• 外部降压 和升压稳压器都很好。
• 是的、我认为这是可以的。 5V 输入可用于为外部 FET 供电、而升压的6V 则为 PMIC VSYS 供电。 (请参阅 TPS650864数据表中的第8.2.5节)
• 如果电流消耗 约为5A、则电感器应该正常。
  对于7A、可能需要具有更高饱和电流额定值的元件。 峰值电流 i_Lmax 将接近7.3A 额定值(请参阅第8.2.2.1.1节)  
• 外部 FET CSD87381P 能够处理高达15A 的电流、输出电流应该可以。 计算什么温度、计算方法是什么？
• FB 应位于输出电容器之后、并与电容器的正极端子连接到同一电源轨
• 我将此标记为 DNP、因为连接到 GPO3信号的电阻器 R53在原理图上标记为 DNP。
  这只是个人要跟踪引脚是悬空还是已连接的注意事项。 无论哪种方式、如果您选择使用 GPO3并组装此电阻器、或者如果您选择不使用 GPO3并将其保留为 DNP、则都不会有问题。  为困惑道歉。   
                     

希望这有助于澄清。  

此致、  
Sarah           

你(们)好

• 我们使用 TI 的功率计算 xls 来计算 MOSFET  CSD87381P 的功率损耗。 该电源轨上的电流消耗为5A。当我们计算出 Pd 约为1.2W、并且计算出60度环境温度下的结温为151度、而根据产品说明书、最高结温为125度。
• 请告知我们 ILIM 电阻值是否合适
• 请告知我们电感值是否合理、因为我们尚未计算出值、但使用的值与 TI 的参考原理图相同。 我们仅修改了额定电流

您好！  

• 建议的最高结温为125度、绝对最大额定值为150度。  
  这些数据表值 基于25摄氏度的环境温度。  
  60摄氏度环境温度下的此值会更高。 实际工作温度应该可以。
  有关温度计算的更多详细信息、请参阅以下应用手册。
• I_LIM 电阻器值正常
• 电感器值正常、
  同样、 如果预期电流约为7A、我会考虑为1.8V 电源轨选择具有较高额定饱和电流的电感器。
  否则、值很好。

如果您还有其他问题、请告诉我。
此致、
Sarah

谢谢。

针对饱和电流选择电感器的一般经验法则是什么。例如：如果电源轨上的电流消耗为5A、电感器饱和电流应该是多少？ 请告知我们。

此外、我们还需要知道是否需要在电路中添加这些二极管。 以下内容来自数据表、它类似于我们的实施方案、即为 PMIC 升压5V。

您好！  

• 数据表的第8.2.2.1.1节显示了这方面的一个很好的公式。
  电感器的饱和电流应高于计算得出的峰值电流(I_Lmax)。
  对于5A (V_IN = 5V、V_OUT = 1.8V、L = 1uH、f_SW = 1 MHz)、饱和电流额定值需要高于6.6A  
  XGL4015-102MEC 的额定电流为7.3A。这是可以的。  
  
• 强烈建议在5V V_IN 和升压 VOUT 之间至少使用一个肖特基二极管。  这将有助于确保   在 VSYS 偏置的情况下 PMIC 的内部 LDO 开启。 是否使用两个二极管取决于所使用的升压稳压器是否能够处理此预偏置。
  有关更多详细信息、请参阅数据表的第8.2.5.1节。  
  
  此外、 TIDA-01393也 是一个很好的参考设计、有助于了解如何使用 TPS6508641实现升压输入

此致、  
Sarah

谢谢

我们已在升压稳压器中实现了该肖特基二极管、如下所示。 该实现可以吗？

尊敬的 Prema：  

有。 这是没有问题的。  

谢谢！
Sarah