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器件型号：BQ25820EVM 主题中讨论的其他器件： BQ24610、BQ24650
工具与软件：
我们有一个要测试的 BQ25820EVM 电路板。 我们需要将充电电流设置为大约1A。 为此、我们移除了 JP4并在 JP3上放置一个47k 的电阻器。 这会得出1064 mA 的理论电流。
当我们通过闭合 JP13开始充电过程时、电流在短时间内变得非常高(请参阅图像)
在此线性上升之后、电流稳定在请求的1A 上。
经过进一步调查、我们发现 I2C 寄存器 ICHG_REG 负责这一点。 它默认为20000 mA、在最初的几毫秒内、芯片似乎尝试实现这个高电流。 才会在延迟后稳定到较低的电阻器电流。
如果我们将 ICHG_REG 设置为1A、则不存在过冲、它会直接平稳地达到请求的1A。
是否有方法可以缓解此问题？ 我们的电池有一个 BMS、由于电流尖峰、该系统会触发 OCC 故障。
