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器件型号：LM5060 工具与软件：
我主要使用 LM5060来限制过流和过压情况。 我的原理图如图所示 
根据输出 VMOT_FET、我将为直流电机运行一个 H 桥。 当我在30V 的电压(限制为1A)下通过电源运行系统时(以大约15%的占空比运行)、NFET 和 LM5060都变得非常热。 这些都很好地处于我的 LM5060设置的限制范围内。 我已经测试过、UVLO、OVP 和 OCP 均按预期运行。 I 通过将 R77降低至160欧姆测试了 OCP、从而产生大约1A 的关断电流。 在此测试后、我将 R77恢复至7.5K、以将电流限制重新增加到45A 左右。
Q16： BSC030N08NS5
我还在 H 桥中使用此 FET、理论上、此 FET 应通过与 Q16相同的电流量、但 H 桥上不会变热。
我曾尝试以更高的占空比运行、发现 LM5060会冒烟、因此会损坏。 我想知道在设计中是否有某一方面会导致过热并限制远低于预期的工作电压。
VMOT_EN 约为3.3V。
