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[参考译文] LM5069:由于电源连接不良导致锁定故障

Guru**** 2510095 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5069, CSD19532KTT

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1438549/lm5069-locking-in-fault-due-to-bad-supply-connection

器件型号:LM5069
主题中讨论的其他器件: CSD19532KTT

工具与软件:

摘要

已‘电源电缆连接不良会导致 LM5069电路上出现某种"故障回路"、通常无法从中自动恢复。 即使在输入电压稳定之后、该故障情况也会使输出电压保持在低电平并产生低频纹波

电路细节

该电路的简要说明:2个无刷电机的驱动器

输入电压:10至33Vdc (标称24V 直流)

最大输出电流:12A

启动时没有重负载、因为电机在上电后无法立即开始旋转、但由于电路中存在大量电容(超过1500uF)、并且由于我们的机器中许多驱动器同时供电、dv/dt 控制非常重要。

单击 Analysis

在进行了大量探索性测试后、观察到了一些关键点:

  • 故障时 Q2的漏极和源极之间的短路有助于电路在几秒钟内恢复;
    • 将 Q2保持短接并不能防止发生故障情况、但通常电路会在几秒钟后自动恢复;
  • 将 Q2从电路中移除显然会阻止它进入故障环路;
    • 还观察到、在移除 Q2后、启动斜坡也会改变其方面、并且上升时间经过了一定的时间、以符合电子表格工具中的计算值;
  • 可以更改反向电压保护并使用传统的 p-FET 方法、但关键是要确切了解我们当前设计发生了什么情况

测试电路

启动波形

单个输出视频

PS:对于这两个视频、请注意、如果我中断电源足够长的时间尝试模拟不良接触条件、整个电路会重新启动(电机停止旋转)、这不是问题所在。  

视频1 - 在不良连接仿真期间发生故障。 确切地说就是上面所示的那一个。 黄色迹线表示 Vout、蓝色迹线表示 PGD 信号。

 e2e.ti.com/.../With-reverse-protection.mp4

视频2. -从电路中移除 Q2 (反极性晶体管)后的应力测试。 即使是单次也不会发生故障。

e2e.ti.com/.../0827.No-reverse-protection.mp4

计算电子表格

e2e.ti.com/.../LM5069-calculation.xlsx

问题

  • 反极性保护晶体管(电路中的 Q2)是否可能会导致此处所示的不良现象、因为它与另一个晶体管共享栅极驱动器电流?
  • 在这种情况下、另一个具有不同栅极电容特性的 MOSFET 是否会帮助不出现故障?
  •  SNVA683将这种反极性保护方法称为优于传统的 P-FET 方法、并提到 N-FET 晶体管的器件数量更少、价格和可用性更好;然而、如果 Q2可能会以某种方式对故障负责、我们完全可以将该方法更改为 P-FET。

提前感谢

Renato Barelli

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Renato、

    让我检查一下、然后再回来看看这个。

    此致  

    Kunal Goel

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    我先感谢您、Kunal Goel。

    让我再提供一条我在发布此问题后发现的额外信息:

    我找到了一种重现错误的更简单方法、这让我能够看到好像有一个 Vin 区(大约为10和4V)、如果有 Vin 恢复、系统会进入我 之前展示的"故障回路"。

    重现此问题的更简单方法是以低功耗执行不良接触仿真(在电机启动之前)、因为 dv/dt 较慢、并且为我提供了足够的窗口来在兴趣点恢复 Vin。

    如果 Vin 达到4V 或更低、我们的系统会重新启动(以及类似 LM5069)、因此没有问题。

    (黄色是 Vout、蓝色是 PDG)

    再次、在 Q2晶体管发生故障的情况下、如果没有该故障、我可以在前面提到的区域内执行"Vin 恢复"、则不会发生任何情况。

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    从示波器额外截取了一个屏幕截图、现在提供了3个通道进行澄清

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    感谢您提供的所有信息。 我将回到这个行程。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Renato、

    很抱歉耽误你的时间。

    从原理图中、我有一条建议:-为每个 MOSFET 使用4.7 Ω 栅极电阻器、以防止线性工作模式下出现振荡、如应用手册 https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=59456所述 

    根据以下 VOUT 图像、我预计会在启动期间出现一些振荡。 探测电流将有助于更好地理解。

    对于热插拔调试、始终测量这些信号 VIN、Vout、GATE、计时器、输入电流  

    对 VIN 使用触发模式(因为会在输入上产生干扰)、仅在 VIN 的下降斜率下捕获结果以了解。

    您能否分享这些波形以便继续。

    此致、

    Rakesh

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    尊敬的 Rakesh

    我将获取波形、马上进行恢复。

    提前感谢

    Renato

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    尊敬的 Rakesh

    我在不同的时基和两种情况下获得了几个波形:原始电路和每个 MOSFET 栅极上有4.7欧姆电阻器。

    遗憾的是、我们没有可用的电流探头 来记录其波形、但在测试期间、电源显示屏上的介质值位于60mA 附近。 此设置中的电路负载仅为两个12V 和5V 降压稳压器、具有低功耗、因为我目前甚至没有连接电机。

    原始电路

    通道1 -黄色- VIN

    通道2 -绿色- Vout

    通道3 -橙色-门

    通道4 -紫色-计时器

    原始电路- 500ms

     

    .

    原始电路- 100ms

    .

    原始电路- 10ms

    .

    原始电路- 50us

    .

    .

    通过在每个逻辑门上串联4、7欧姆电阻进行测试

    在每个栅极上添加4、7欧姆电阻器、我无法重现 前面所示的不稳定性。 我在多个 PCB 上进行了大量尝试、但一次都没有发生错误。 移除不稳定性会使电阻器回归正常、因此这可能是我们的解决方案。

    在结束此主题之前、我想问一个问题:我们在其他项目中使用同样的电路、并且 MOSFET 较小、这种不稳定性从未发生(我几天前在其他项目中使用了相同的测试方法)、那么这可能是什么原因呢? 我们 在所有其他项目上使用了 MOSFET 阵列 BUK7K32-100EX。

    这些 MOSFET 的栅极电荷或栅极电容是否存在任何可以缓解这种不稳定情况的问题?

    CSD19532KTT

    Qg = 44nc、Ciss = 3890pF  

    .

    BUK7K32-100E

    Qg = 34nc、 Ciss = 1603pF

     

    从现在开始、我们将使用这些栅极电阻器作为一个好的做法。

    感谢您的支持

    Renato Barelli