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器件型号：TPSI3050-Q1 Thread 中讨论的其他器件： TPSI3100-Q1、TPSI3052-Q1
工具与软件：
大家好、我尝试使用上述开关在12V 负载下驱动100A。 此开关驱动器是否可以使用。
使用此开关驱动器有任何限制。
工具与软件：
大家好、我尝试使用上述开关在12V 负载下驱动100A。 此开关驱动器是否可以使用。
使用此开关驱动器有任何限制。
您好、Bala、
请确认这两个要求是否与同一系统/插槽相关：
有关预期脉冲持续时间的更多阐释将有助于 在系统最大负载电压(本例中为100V、基于之前的响应)下缩小可接受的 Id 电流。
请随时参考此内容 常见问题解答 (链接) 有关使用 TPSI3050-Q1选择 MOSFET 的研究、我们的团队对此进行了进一步研究。
感谢并期待您的意见。
此致！
Hussain
您好、Hussain、
我们将使用由 Delta Electronics 提供的外部电源、我们也将使用外部电源 R、L、C 负载电流可以高达200A、持续几微秒、而电压则相反、它在开关期间可以高达100V。
创建目标配置 IPTC011N08NM5ATMA1 驱动器的共模信号 TPSI3050-Q1。
您能否对上述 MOSFET 进行相同确认。
以及从 MOSFET 共源隔离到什么 V. SSS、 V. DDM、 V. 因为我们使用 MOSFET 驱动上述负载。
感谢您的答复。
您好、Bala、
类似于对进行的分析 IPTG039N15NM5 、 观察 IPTC011N08NM5ATMA1 避免击穿 SOA 曲线中、可以看到以下 是 VDS = 100V 时 、脉冲持续时间为的可接受 Id 电流范围 1US-10us 和 >10us ：
的公式 TPSI3050-Q1 VDRV 靠近 10v (在共源极配置中、MOSFET 栅极相对于 VSSS 的电压) 、 我们期望通过 MOSFET 获得较小的 VDS ID=200A (VDS=ID*Ron)：
驱动上述两个 MOSFET 应该是可行的 TPSI3050-Q1。
如所示 V. SSS、 V. DDM 和 V. DDH 电压、 V. DDM 和 V. DDH 的标称值为悬空 5V 和 10v 是"是" V. SSS。 所有这些引脚都位于器件的次级侧、与初级侧引脚(EN、PXFR、VDDP、VSSP)相隔离。
谢谢你。
此致！
Hussain
