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[参考译文] CSD18511Q5A:额定功耗和额定电流

Guru**** 2379990 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1440891/csd18511q5a-the-rated-power-consumption-and-rated-current

器件型号:CSD18511Q5A

工具与软件:

我对图中的公式有疑问。 1和2。

了解 MOSFET 数据表、第3部分-连续电流额定值
https://www.ti.com/document-viewer/lit/html/SSZTCP0

公式图 1.
①When temperature⑤ MaxPDiss、如果环境温度发生变化、公式中的25°C 是否为该 Ω?
②If Rθjc 在公式变为 Rθja 时、同一公式是否可用于计算?

公式图 2.
③If 我⑤上面计算的 MaxPDiss 代入这个公式中的 MaxPDiss 来计算 Id、它是否是那个温度 下的 Id?

④Is 了解 MOSFET 随温度变化(减小)的额定功耗和额定电流是正确的吗?

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    您好 Sato San、

    感谢您关注 TI FET。 更 Rθjc 的等式为:最大 PDiss =(最大 Tj -外壳温度)/Δ T 或最大 PDiss =(最大 Tj - Tamb)/Δ Rθja T。 最大漏极电流的计算公式如下:Max ID =√(Max PDiss/Rds (on))。 数据表值使用 Tj = 150°C 时的最大 RDS (ON)。 有关归一化 RDS (on)与温度间的关系、请参阅数据表中的图8。 例如:

    最大 ID =√(3.125W/(2.3mΩ x 1.8))= 27.4A、在 TMB = 25°C 时使用 Rθja Ω

    您可以使用 Rθjc 和 Tcase 进行相同的计算。

    功率耗散和额定漏极电流随温度的升高而降低是正确的。 请参阅数据表中的图12。 如果您有任何其他问题、敬请告知。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    RθJc 将任何温度替换为"Tcase"和"Tamb"、即"max pdiss =(max TJ -Tcase)/Δ T "和"max pdiss =(max TJ -TMB)/ rθja Δ T "。
    它是否符合人们对该温度达到最大功耗的看法?

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    尊敬的 Sato San:

    是的、您的解释是正确的。 请告诉我、我是否可以提供进一步的帮助。

    此致、

    John

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    是图1中漏极电流的导通电阻值、  无论温度如何、2都必须为最大值(Max TJ)?
    或者、是否是  根据温度确定的"导通电阻器 x 温度系数(数据表图8 (此时的温度值))"?

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    尊敬的 Sato San:

    本周我要去参加感恩节假期、下周一我再回来的时候、我会给您回复。

    谢谢!

    John

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    尊敬的 Sato San:

    该公式使用最大 TJ。 实际上、大多数客户会降低最高工作温度<最高 TJ。 例如、 如果最大 TJ = 150°C、则最大运行 TJ 通常会降额至125°C 以确保可靠性。 在这种情况下、您可以使用125°C 处的温度系数。

    谢谢!

    John

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     图1图2中的"MaxTJ"是否必须保持相同的温度?
    例如、是否可以在图1中计算150°C 处的"MaxTJ"和图2中的125°C 处的"MaxTJ"、然后  使用 Rds  (on)在温度下计算 ID (125°C 图8。NormalizedOn-StateResistancevs Temperature)

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    尊敬的 Sato San:

    是的、您可以在系统中使用任何 MaxTJ。

    谢谢!

    John