[参考译文] CSD18511Q5A：额定功耗和额定电流

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1440891/csd18511q5a-the-rated-power-consumption-and-rated-current

器件型号：CSD18511Q5A

工具与软件：

我对图中的公式有疑问。 1和2。

了解 MOSFET 数据表、第3部分-连续电流额定值
https://www.ti.com/document-viewer/lit/html/SSZTCP0

公式图 1.
①When temperature⑤ MaxPDiss、如果环境温度发生变化、公式中的25°C 是否为该 Ω？
②If Rθjc 在公式变为 Rθja 时、同一公式是否可用于计算？

公式图 2.
③If 我⑤上面计算的 MaxPDiss 代入这个公式中的 MaxPDiss 来计算 Id、它是否是那个温度下的 Id？

④Is 了解 MOSFET 随温度变化(减小)的额定功耗和额定电流是正确的吗？

10 个月前

0 admin 10 个月前

TI__Guru**** 2378650 points

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您好 Sato San、

感谢您关注 TI FET。更 Rθjc 的等式为：最大 PDiss =(最大 Tj -外壳温度)/Δ T 或最大 PDiss =(最大 Tj - Tamb)/Δ Rθja T。最大漏极电流的计算公式如下：Max ID =√(Max PDiss/Rds (on))。数据表值使用 Tj = 150°C 时的最大 RDS (ON)。有关归一化 RDS (on)与温度间的关系、请参阅数据表中的图8。例如：

最大 ID =√(3.125W/(2.3mΩ x 1.8))= 27.4A、在 TMB = 25°C 时使用 Rθja Ω

您可以使用 Rθjc 和 Tcase 进行相同的计算。

功率耗散和额定漏极电流随温度的升高而降低是正确的。请参阅数据表中的图12。如果您有任何其他问题、敬请告知。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

0 admin 10 个月前

TI__Guru**** 2378650 points

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RθJc 将任何温度替换为"Tcase"和"Tamb"、即"max pdiss =(max TJ -Tcase)/Δ T "和"max pdiss =(max TJ -TMB)/ rθja Δ T "。
它是否符合人们对该温度达到最大功耗的看法？

0 admin 10 个月前

TI__Guru**** 2378650 points

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尊敬的 Sato San：

是的、您的解释是正确的。请告诉我、我是否可以提供进一步的帮助。

此致、

John

0 admin 10 个月前

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是图1中漏极电流的导通电阻值、无论温度如何、2都必须为最大值(Max TJ)？
或者、是否是根据温度确定的"导通电阻器 x 温度系数(数据表图8 (此时的温度值))"？

0 admin 10 个月前

TI__Guru**** 2378650 points

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尊敬的 Sato San：

本周我要去参加感恩节假期、下周一我再回来的时候、我会给您回复。

谢谢！

John

0 admin 10 个月前

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尊敬的 Sato San：

该公式使用最大 TJ。实际上、大多数客户会降低最高工作温度<最高 TJ。例如、如果最大 TJ = 150°C、则最大运行 TJ 通常会降额至125°C 以确保可靠性。在这种情况下、您可以使用125°C 处的温度系数。

谢谢！

John

0 admin 10 个月前

TI__Guru**** 2378650 points

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图1和图2中的"MaxTJ"是否必须保持相同的温度？
例如、是否可以在图1中计算150°C 处的"MaxTJ"和图2中的125°C 处的"MaxTJ"、然后使用 Rds (on)在温度下计算 ID (125°C 图8。NormalizedOn-StateResistancevs Temperature)？

0 admin 10 个月前

TI__Guru**** 2378650 points

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尊敬的 Sato San：

是的、您可以在系统中使用任何 MaxTJ。

谢谢！

John

电源管理（参考译文帖）

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