[参考译文] BQ25798：VSYSMIN 调整

您好、Jeff—感谢您一如既往地及时提供支持。

设置 DIS_LDO 似乎是一种更简洁的解决方案；我会尝试它。 但是、我并不十分关注这一点：

zj w 说：

关于1、唯一的缺点是、如果您不需要 SYSMIN、则不会准确地终止、因为通过 BATFET 的负载电流无法与电池电流分离、即充电器可能永远不会报告充电终止。   

[报价]

SYSMIN 调节和充电终止之间有何关系？ 通常、VREG 设置为远高于 VSYSMIN、并且一旦电池始终接近终止、器件就不再处于 SYSMIN 调节状态。 换句话说、一旦电池电压上升 到足以使终止电流相关、DIS_LDO 的状态与 所有实际用途无关。

只要输入功率足够、所有系统电流都应由 VBUS 提供、只有通过 BATFET 的电流应该是向电池充电的电流。 这一机制似乎独立于 SYSMIN 法规—我可能误解了您的观点；请原谅我。

在热调节方面、我们的电路板热耦合到相对较厚的金属背板。 即使 BQ25798x 封装没有可用的散热焊盘、器件报告的芯片温度也绝不会超过110度。 在本产品的最高环境温度下长时间充电5A 期间、电流为 C。 这非常低于默认的热调节阈值(120度、 C)、因此在这种情况下、我们从未遇到过节流问题。

感谢您提供有关降低开关频率的提示-看起来我们可以在这里提高一些效率；但是、我们的应用对高度有非常严格的限制。 因此、我们目前仅限于1 μ 1.5 MHz 配置。