[参考译文] TPS28225：TPS28225是否可用于驱动锁存继电器

Benas、您好！

我需要更多的信息来对 TPS28225的此功能进行评论和提供建议。 您是否有原理图、甚至是电路的简化原理图以及您需要从驱动器中获取的功能？ 例如、驱动器所需的控制输入、高侧和低侧悬空以及工作电压电平？

此致、

你好。

我打算使用两个 TPS28225来打开和关闭锁存继电器。 我计划将信号发送到 PWM 输入、打开高侧 MOSFET、并在需要时发送到其他 TPS、以打开低侧 MOSFET 和打开继电器。 和反向逻辑来关闭继电器。  

TPS 能在仅获得一个控制信号脉冲时打开和关闭 MOSFET 吗？

Benas、您好！

您能确认几个问题吗？ TPS28225是一款单路 PWM 输入驱动器、当 PWM 为高电平时、高侧 MOSFET 导通、而当 PWM 为低电平时、低侧 MOSFET 关断。 此辅助操作是否适用于驱动继电器？  

此外、还有针对高侧 MOSFET 的自举偏置、引导至相位偏置、当相位切换到接地时、自举电容器会充电。 自举偏置不适合高侧 MOSFET 直流导通运行或非常长的 UGATE 脉冲宽度。 高侧 MOSFET 操作继电器所需的脉冲宽度是多长时间？

是的、此操作对我有效。  

脉冲宽度最长可达20ms 甚至更长

我还有一个问题。 我刚刚使用外部自举二极管测试了我的电路。 PWM 信号：TON = 20ms；Toff = 100ms、但在输出端 I 得到0.4V。我按照建议添加了4.7uf 电容。  

输出电容损耗：

3.3V PWM：

禁用 TPS28225时、我将获得相同的结果

Benas、您好！

随着引导电容器增加到4.7 μ F、为了确保 VDD 电压在初始引导电容器充电期间不会下降太多、我认为您需要增大 VDD 电容器。 很抱歉、我之前没有提到。 我们通常建议 为 VDD 电容器使用10倍 HB 电容值、以避免 VDD 过度下降。 是否有可能尝试这种方法。 此外、使用原理图中所示的较低引导电容器值1uf 时、电路是否正常工作？

如果仍有问题、可以发送 VDD、BOOT、PHASE 和 Ugate 的图、以及 PWM、PHASE、Lgate 和 Ugate 的图。 我们需要查看引导电压在打开期间是否正常。

此致