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[参考译文] TPS28225:TPS28225是否可用于驱动锁存继电器

Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS28225, DRV8411
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1450071/tps28225-can-tps28225-be-used-to-drive-latching-relays

器件型号:TPS28225
主题中讨论的其他器件: DRV8411

工具与软件:

我计划使用 TPS28225驱动锁存继电器。 我能否使用此器件来实现它、或者或许我应该选择  DRV8411等其他驱动器

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    Benas、您好!

    我需要更多的信息来对 TPS28225的此功能进行评论和提供建议。 您是否有原理图、甚至是电路的简化原理图以及您需要从驱动器中获取的功能? 例如、驱动器所需的控制输入、高侧和低侧悬空以及工作电压电平?

    此致、

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    你好。

    我打算使用两个 TPS28225来打开和关闭锁存继电器。 我计划将信号发送到 PWM 输入、打开高侧 MOSFET、并在需要时发送到其他 TPS、以打开低侧 MOSFET 和打开继电器。 和反向逻辑来关闭继电器。  

    TPS 能在仅获得一个控制信号脉冲时打开和关闭 MOSFET 吗?

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    Benas、您好!

    您能确认几个问题吗? TPS28225是一款单路 PWM 输入驱动器、当 PWM 为高电平时、高侧 MOSFET 导通、而当 PWM 为低电平时、低侧 MOSFET 关断。 此辅助操作是否适用于驱动继电器?  

    此外、还有针对高侧 MOSFET 的自举偏置、引导至相位偏置、当相位切换到接地时、自举电容器会充电。 自举偏置不适合高侧 MOSFET 直流导通运行或非常长的 UGATE 脉冲宽度。 高侧 MOSFET 操作继电器所需的脉冲宽度是多长时间?

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    是的、此操作对我有效。  

    脉冲宽度最长可达20ms 甚至更长

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    Benas、您好!

    感谢您确认驾驶员操作将在应用程序中正常工作。 由于导通脉冲时间较长、您需要考虑将在 Ugate 导通期间放电的 BOOT 电容器值。 为了确定来自静态电流的压降、我假设引导静态电流是总 IDD 电流的1/2、其中包括引导电流、这将是250uA。 使用 C=IDT/DV 实现20ms 时1V 的压降、C=5uF、这是一个大引导电容器。 在这种情况下、我建议在 VDD 和 BOOT 之间连接一个外部自举二极管、并靠近 IC 引脚放置、并使用额定电流为1A 且额定电压为30-40V 的肖特基二极管。

    此致、

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    我还有一个问题。 我刚刚使用外部自举二极管测试了我的电路。 PWM 信号:TON = 20ms;Toff = 100ms、但在输出端 I 得到0.4V。我按照建议添加了4.7uf 电容。  

    输出电容损耗:

    3.3V PWM:

    禁用 TPS28225时、我将获得相同的结果

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    Benas、您好!

    随着引导电容器增加到4.7 μ F、为了确保 VDD 电压在初始引导电容器充电期间不会下降太多、我认为您需要增大 VDD 电容器。 很抱歉、我之前没有提到。 我们通常建议 为 VDD 电容器使用10倍 HB 电容值、以避免 VDD 过度下降。 是否有可能尝试这种方法。 此外、使用原理图中所示的较低引导电容器值1uf 时、电路是否正常工作?

    如果仍有问题、可以发送 VDD、BOOT、PHASE 和 Ugate 的图、以及 PWM、PHASE、Lgate 和 Ugate 的图。 我们需要查看引导电压在打开期间是否正常。

    此致