工具与软件:
Mike、您好!
1.我最新的 PCB 版本将 DC 大容量电容器放置在较远的位置(由于器件和电路板的限制),并通过 PCB 平面连接到 CT。 在 CT 附近,我有较小值的旁路电容器放置在更靠近 FET 我的问题是,如果直流输入电容器很远,所有的影响可能会有。
2.另外,我想了解你说的占空比钳是什么意思? ZVS 与输入电容器有何关系?
3、什么是高频 输入电容 RMS 电流(ICINRMS)? 如果大容量电容放置得太远、这是否会产生任何影响。
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Mike、您好!
1.我最新的 PCB 版本将 DC 大容量电容器放置在较远的位置(由于器件和电路板的限制),并通过 PCB 平面连接到 CT。 在 CT 附近,我有较小值的旁路电容器放置在更靠近 FET 我的问题是,如果直流输入电容器很远,所有的影响可能会有。
2.另外,我想了解你说的占空比钳是什么意思? ZVS 与输入电容器有何关系?
3、什么是高频 输入电容 RMS 电流(ICINRMS)? 如果大容量电容放置得太远、这是否会产生任何影响。
您好!
1.1in 迹线中大约增加了10nH 的电感。 因此、通过增加的电感、由 di/dt 引起的噪声将更大。 这还可能导致 EMI 问题和电路错误行为问题。
2.A. 您不需要占空比钳。
2 b。输入大容量电容器不应置于 ZVS。
3.a. 输入电容器 RMS 电流在应用手册 slua560中定义、可在以下链接中找到。
https://www.ti.com/lit/pdf/slua560
3. b。大容量电容与 H 桥之间的距离不应影响通过大容量电容的 RMS 电流。
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此致、
您好!
实际上、我曾想过要将大容量电容器与设计中的 H 桥保持一定的距离。
您有一个有效的设计。 当您将大容量电容器从 H 桥移开时、为什么不做一些费用来查看发生了什么。
首先: 测量所有关键节点、甚至使用监听探针对设计进行不可思议、这样您就可以了解辐射 EMI 的外观。
您可能需要0%、25%、50%、75%和100%的负载。
第二步: 将大容量电容移到不同长度的位置、然后每次重新进行所有测量、并与第一次测量结果进行比较。 这应该能让您了解不良布局会发生什么情况。
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此致、