[参考译文] TPS74401：有关新芯片的问题

尊敬的 Hirano-San：

[报价 userid="36030" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1459003/tps74401-questions-about-new-chip ]Q1：
数据表图5-35是在 Iout=3A 时针对旧芯片测量的结果。
图5-36在什么负载电流下测量的情况如何？

该页面顶部列出了绘图的一般条件：

[报价 userid="36030" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1459003/tps74401-questions-about-new-chip ]Q2：
在数据表图5-36中、右侧轴输入电压单位(V)是否正确？ 查看图5-35、旧芯片的 Vbias 线暂态为~μ V+/-2mV、但在图5-36中、新芯片的 Vbias 线性瞬态为~μ V+/-0.5V、这种较大瞬态在任何应用中都是不允许的。

右侧正确- VBIAS 从3.3V 斜升至5V。 左侧是交流耦合输出电压、但缺少单位。 正确的单位是 mV。

[报价 userid="36030" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1459003/tps74401-questions-about-new-chip ]Q3：
3.5mm x 3.5mm VQFN (RGR)仅包含旧芯片、因为尚未针对 RGR 器件发布 PCN？[/QUOT]

是的、这是正确的、仅刷新了 RGW 封装、旧版器件消失后、RGR 和 KTW 器件将停用、此器件将仅在 RGW 封装中可用。  

此致、

Nick