[参考译文] BQ77905：BQ7790518的 CHG FET 信号错误

您好、Goutam、

充电期间的电芯电压是多少？ 充电期间、三节电池或电池连接器上的 IR 压降是否可能更高？  

我已经看到过一些情况、充电期间的 IR 压降会导致 IC 看到的电压大于电池电压、从而导致提前终止。

如果您将电压降低到迟滞以下、器件是否会从故障中恢复？

此致、

Luis Hernandez Salomon

尊敬的 Luis：

在电路板入口处的电池电压为4.079V、4.120V、3.998V、小于4.15V、IC 在充电停止后立即从故障中恢复、我假设这与180ms 的 IC 恢复时间一致。 这是由于 IC GND 和 BATT-端子之间连接了网带造成的吗？  流过接地端的高电流是否可能导致电压波动？ 我应该在接地端使用一些滤波、例如电感扼流圈、还是可以是两个接地端之间的电容？

您好、Goutam、

我认为这是可能的、如果 IC GND 和 BATT-之间的电压差足够大、但我认为不太可能。  

我猜中的是 OV 正在触发、因为充电电流期间电池测量值可能高于 OV 阈值。 然后、当充电停止时、电芯会放松、或者 IR 压降停止、导致电芯恢复。

此致、

Luis Hernandez Salomon

尊敬的 Luis：

您能否尽快建议对原理图和接地进行任何更改？ 我们需要尽早发布此版本。

您好、Goutam、

我认为没有什么特别需要改变的地方。 我想您可以做的一件事是用示波器测量信号、缩小可能触发保护的范围。 例如、可以测量 CTRC/CTRD、以检查导致故障的是顶部 IC 还是底部 IC。  

完成 该操作后、您可以检查该 IC 的各个 VCx、以查看是否有测量高于器件 OVP 的输入。

此致、

Luis Hernandez Salomon

尊敬的 Luis：

感谢您的建议。 根据我们的8S 配置原理图、顶部器件 CTRC 和 CTRD 连接到本地 GND、即 cell3、因此我的读数大约低于12.6V。 对于底部器件、您是否可以建议 CTRC 和 CTRD 的标称和最大读数？ 它的 VDD + 5V 是否= 17V 最大值？

您好、Goutam、

该工程师目前不在办公室、无论今天还是明天。 他们将在星期一回来提供回复。

感谢您的耐心。

此致、
Alexis

您好、Goutam、

为了使 FET 保持导通、该电压可能比 BAT 高几伏。  

我建议您在知道两个 MOSFET 都导通时进行测量。 然后、当您看到有 MOSFET 关断时、再次进行测量。 如果您看到其中任何一个的电平发生变化、则对应于关断的 MOSFET。 然后由上芯片触发保护。

此致、

Luis Hernandez Salomon

尊敬的 Luis：

感谢您的建议。 您能否推荐任何与 BQ7790518类似的 TI 器件、是否会在4.50V 下进行过压切断并支持高达8S 的配置？

您好！

工程师将在冬季假期到新年结束。

感谢您的耐心。

尊敬的 Luis：

谢谢您的建议。 但是、我们正在寻找一种非常便宜的解决方案、它具有4.3V 至4.5V 过压保护和7V-12V FET 驱动、用于电荷切断、而无需任何 MCU 参与。 您能否提出建议？