请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号:TPS6594-Q1 主题中讨论的其他器件:TDA4VM
工具与软件:
你好
我们对采用 TDA4VM 的产品使用 PDN-1A 电源解决方案、因此我们的 板载 TPS65941213RWERQ1具有 OVP 保护(FET)。 其功能是输入电压斜升(3.3V)、然后有延迟(tVSYSOVP_INIT)、然后 PMIC 通过 OVPGDRV 引脚导通 FET。 FET 导通时间相对较短、这会产生相对较高的浪涌电流(我们的产品具有5V 输入电压-> 3.3V 稳压器->具有 OVP 的 PMIC、在我们的例子中、浪涌电流在5V 输入下为2A)、这让我们有点复杂。 因此、我想知道是否可以更改 FET 导通时间(输出压摆率)、这意味着输出斜升较慢、我在数据表中找不到任何内容、但请告诉我。 非常感谢!
此致
LIBOR
