主题中讨论的其他器件：BQ40Z80、、 BQSTUDIO
工具与软件：
我们正在使用3个采用基于 EVM 的电路设计的电路板、并结合5节锂离子电池和 BQ40Z80 BMS。
充电器由 MCU 驱动。 我们不使用 BATFET、只使用自动反向。 由于我们在充电时没有明显负载、因此我们使用 "AC_OUT"(EVM 标签)作为电池输出、而不是 VSYS、从而允许在电池模式下限制输出电流。 我们的电路板仍提供 bqstudio 连接器、用于访问 BQ25750寄存器(如果 MCU 真的同时访问 I2C 接口、则可能会导致冲突；但是这绝不会导致问题(除了损坏数据外 )、通常我们会尽力避免该问题)。
-禁用 BQ40z80 FET 时、我没有看到过压
-我看不到 SW1、SW2出现过压或过大的负电压
此外、我们在连续模式下使用 ADC。 DRV_SUP 由 REGN 驱动。 到目前为止、这些委员会原则上已经运作了数周。
然而、我们主要使用的电路板遵循 BQ25750内部序列控制。 即 BQ40Z80从未以任何方式进行交互(由于固件设置)。 使用 BQ40Z80意味着充电器必须遵循 BMS 状态、从而得到：
-禁用 BQ25750内的充电终止,让 BMS 决定"电池已满"状态。
-禁用温度曲线,但遵循 BMS 给定的充电电流和电压
-充电完成后, BMS 禁用其 CHG_FET。
-当另一个条件超出有效范围时, BMS 再次禁用其 CHG_FET 和/或 DSG_FET。
启用 BMS 终止充电并将 BQ25750的"EN_TERM"设置为"0"后、两个电路板上的3个 IC 在充电后损坏。 故障模式相似但不完全相同：
- BQ25750寄存器仍然可以访问
- REGN 在读取 ADC 值时被暂时激活
-所有设备拒绝激活自动反转。 更精确：在监测 降压/升压转换器信号时、下部 FET 将由5V 电平信号驱动、而上部 FET 不是。 大约200 ms 后、IC 会停止驱动、并将"自动倒车"设置为0。
-其中一个 IC 在尝试充电时增大了输入电流。 支持具有外部5V 电源的 REGN 可减少增加的输入电流。
- IAC_DPM_FLAG 被设置('设备进入输入电流调节'),当尝试激活自动反转。
-更换 IC 可以解决问题。
是否存在可能导致此问题的已知问题？
