This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS2HB50-Q1:关于输出泄漏电流的问题

Guru**** 2496895 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2HB50-Q1, TPS1HTC100-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1467475/tps2hb50-q1-questions-about-output-leakage-current

器件型号:TPS2HB50-Q1
主题中讨论的其他器件: TPS1HTC100-Q1

工具与软件:

您好!

我的客户对输出漏电流有一些问题、如下所示。

问题1:
在 TPS2HB50-Q1处、数据表7.5指定了 VEN=vDIA_EN=0V 时的输出漏电流。

我的客户想知道 VEN=0V 且 VDIA_EN=5V 时的输出漏电流。
您能否提供请求的数据?

问题2:
问题与 TPS1HTC100-Q1的 Q1相同。

问题3:
在 TPS2HB50-Q1上、我的客户在 VEN=0V 和 vDIA_EN=0V 时测量的输出泄漏电流为0.02uA。
他们还在 VEN=0V 和 VDIA_EN=5V 时对其进行测量、结果为20uA、高出1000倍。
我的客户想知道 VEN=0V 和 vDIA_EN=5V 时输出漏电流的大小仅为 VEN=0V 和 vDIA_EN=0V 时的1000倍。

此致、

K.Hirano

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Hirano:  

    您的客户如何测量器件的输出泄漏?  

    遗憾的是、我们在任一器件上都没有 VEN = 0V 和 DIAG_EN = 5V 配置的数据。 在您提供的 VBB = 13.5、VEN = VDIAG_EN = 0的触发下测量漏电流。  

    对于 TPS1HTC100、泄漏电流低于。

    BR、  

    艾伦

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Alan:

    您还能回答 Q3吗?

    此致、

    K.Hirano

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Hirano:  

    为了更好地理解这一点、了解客户是如何衡量这一点的。

    我的假设是、它与数据表中的 DIAG_EN 电流消耗相关。 但是、此范围比您的客户看到的范围要大得多。  

      

    需要注意的是、由于未指定参数、因此无法保证数据表之外的参数。  

    BR、  

    艾伦

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Alan:

    其测量方法是在输出端(VOUT)和 GND 之间放置电阻(200 Ω)。
    当 VEN=0V 且 vDIA_EN=5V 时、测量该电阻器(200 Ω)上的电压。
    电压/ 200 Ω=电流。
    因此、它不同于 IDI( IC 本身的当前消耗量)。
    当 vEN=0V、vDIA_EN=5V 时、使用该方法测得的电流为20uA。
    TI 是否认为此20uA 值合理?
    他们希望了解 TI 对此的评论。

    此致、

    K.Hirano

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Hirano、  

    我会跟我的团队跟进、并在我获得更多信息后立即与您联系。

    BR、  

    艾伦

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Alan:

    非常感谢您对此进行跟进。
    我期待收到您对此的反馈。

    此致、

    K.Hirano

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、

    如果可以在周一 EOD Dallas Time 之前获得更多信息。

    BR、

    艾伦  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Hirano,  

    当开关被禁用时、如果 DIA_EN 为高电平、内部比较器将检测 VOUT 的情况。 如果
    负载断开(开路负载条件)或发生电池短路时、VOUT 电压将高于
    开路负载阈值(VOL、OFF)并且在 SNS 引脚上指示故障。 与 MΩ 1k Ω 内部上拉电阻器串联
    一个内部 MOSFET 开关、因此如果只必须是完全开路负载、则无需外部组件
    操作人员。

    如需更多信息、请参阅 数据表的第9.3.2.1.2节。  

    BR、  

    艾伦

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Alan:

    感谢您的答复。
    但是、很抱歉、我应该如何回答以下客户问题? 请告诉我。

    "TI 是否认为这个20uA 的值是合理的?"

    此致、

    K.Hirano

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Hirano:  

     MΩ 在 DIAG_EN 启用且器件禁用时激活的1k Ω 内部上拉电阻、这是合理的。 主要是我会参考之前的响应、并使用数据表。

    BR、  

    艾伦