This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM25037:推挽式转换器设计

Guru**** 2387410 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25037
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1473051/lm25037-push-pull-converter-desing

器件型号:LM25037

工具与软件:

您好!

我设计了一个具有12-50V 输入和28V 输出电压范围的推挽式转换器。

但是、电路通电一段时间后、RES 引脚的电压会上升到2V 并进入断续模式。

什么原因可能导致这种情况? 您能帮忙吗?

我要连接示波器图像。 我的负载为100 Ω。  

注意: 即使我断开 CS 引脚、我也会看到相同的信号。

CH1:OUTA 引脚信号、

CH2:CS 引脚信号、

CH3:RES 引脚信号。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    当 CS 信号高于其阈值时、RES 引脚电容器将充电、当 CS 引脚信号不高于阈值时、则以较小的电流放电、请参阅数据表的7.3.6。 因此、您需要确保 CS 噪声很小、以免达到 CS 阈值、从而避免 RES 达到2V 而导致断续。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!  

    感谢您的回答。

    即使我断开 CS 引脚(电压电平0V)、我也会在 RES 引脚上看到相同的信号。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    断开 CS 并不意味着 CS 引脚上没有噪声。 您可以将 CS 短接至 LM25037 GND 以停止 RES 电压达到2V。

    请遵循第7.3.6节。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    这就是我所说的电压电平0V 时的含义。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    如果您将 CS 连接到 GND 并且仍然看到 RES 达到2V、则 IC 发生故障。 请参阅第7.3.6节。 您可以在 LM25037 EVM 上测试 IC。 如果仍然不好、则需要放置一个新的装置进行测试。 您将看到板上的器件已失效。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    明天我将使用新的 IC 测试它、让您了解情况。
    通过向 FB 引脚施加外部电压来在没有变压器的情况下对其进行测试是否合适?


  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    请提供您的电路、以说明如何通过向 FB 施加电压来进行测试。 我不清楚您要如何测试。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    如果您可以分享您的电子邮件、我将通过电路图对其进行说明。

    通过这种方法、我可以更具描述性。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    只需提供一个电路来展示您的意图如何使用 FB、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!
    我希望它是解释性的。

    MOSFET 漏极开路。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    FB 绝对最大值为7V、因此您不能在此引脚上施加28V 的电压。

    请查看适用于您的设计和测试的数据表规格。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Hı μ A、  
    我在这里有一个分压器。

    反正这没什么大不了的。  
    我会在测试后告诉您情况。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    那么没问题。

    28V 是固定电压吗? 如果是这样、那么根据 FB 电压上的分压器、它可能会提供最大占空比或0占空比。 请显示此28V 的来源以及它是否是由反馈环路控制的电压。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!
    是的、是固定电压。  它不会随着时间的推移而变化。  

    实际上、我想知道手动更改它对占空比的影响。  
    由于您说过它可以提供最大占空比或0占空比、因此我不会对其进行测试。

    我不想在我的电路中插入新的 IC 并将其断开。  
    因此、我想在不使电流通过 RC (电路中的 R11)或以受控方式传递电流的情况下监控 RES 引脚的状态。
    如果您对此测试有任何其他建议、我将不胜感激。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    如果28V 是固定的、那么您的电路将使占空比为0或最大值 如果为0、则需要更改 FB 电阻分压器以获得 Dmax。 如果 D = 0、则无法检查 CS 脉冲。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!
    我将考虑这一情况。
    我还有一个问题是关于驻地协调员。  我认为它的价值很低。
    我使用数据表中的公式8.2.2.2 (公式16)和8.2.2.5 (公式19)计算它。
    在这方面您能支持我吗?

    VOUT = 28V
    Vinmax = 50V
    LOUT= 2.2uH
    Fosc = 250kHz
    Np= 2  Ns= 6
    ILIM = 19A (实际上电流为15A、但我希望它以150%的速度关断。)

    根据我的计算、尺寸为1.2m。  我使用两个并联的2.4m 电阻器。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    这两个方程可以使用。 如果您对这两个等式有疑问、我们来探讨一下。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    我更新了布局、同时考虑了您所说的内容。  我的电路开始工作了。
    我现在有一个新问题。  无论做什么、我都无法将效率提高到55%以上。
    我测试的功率范围是28W 到90W。 每个功率值的效率为55%。

    得到了高 VDS 电压。  尽管我尝试了一些不同的缓冲器、但还是无法降低。
    在这种情况下、您有什么建议吗?

    MOSFET 器件型号: IXTH130N10T

    CH2:VGS、CH1:VDS
    输入电压:12V 输出电压:28V 输出电流:1A


  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    请用图片展示您的测试设置、以便我们了解您的效率测试设置是否正确。

    请展示您的缓冲电路、在其中将缓冲电路添加到电路板、缓冲器参数以及每组缓冲器参数上的波形。   

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    测试设置如下所示;


    测量是从设备自身的屏幕进行的。  

    缓冲器电路;  


    非缓冲器 VDS:

    仅电容器(电阻器目前短路) Cs:680pF

    计算得出的 Cp:590pF
    计算得出的 LP:3、22uH
    计算得出的 Zo:73、87 Ω

    添加缓冲器后:(Cs:680pF Rs:74 Ω)

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    请提供您的原理图并圈出缓冲器电路。

    您具体在何处测量效率以及如何测量效率。 下面不提供详细信息。 您可以介绍一下您的设置、其中是输入电压源、连接线、电压和电流输入表的位置、电子负载的位置、从电子负载到电路板的导线长度、输出电流和电压表的位置-为了检查您的设置是否正常、需要所有这些信息。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    原理图和缓冲器电路;


    我的卡可通过电缆直接连接到电源和电子负载。
    电缆长度最大为20cm。
    我从器件屏幕上读取电压和电流信息。
    通过测量仪器和电流探头已证明它们提供了正确的信息。
    我知道我还测量了电缆压降、但由于电缆是12awg、并且不是很长、我认为它们可以处理。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    缓冲电阻器和电容器值是多少?

    您测试效率时、测试中的最大负载是多少? 在此最大负载测试中、您是否可以使用热像仪检查每个元件的温升以查看每个元件的温度、从而帮助了解从何处开始出现功率损耗、找出这些元件具有该高温的原因、然后相应地解决问题。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    我尝试了许多不同的​​电阻器和电容器值。
    两条消息之前、我分享了一项测量。

    27、97W ->%55 eff。(输入:28V 输出:27、97V、输出电流:1A)
    55、94W ->%55 eff。(输入:28V 输出:27、97V、输出电流:2A)


    27、97W ->%77 eff。(输入:12V 输出:27、97V、输出电流:1A)
    55、94W ->%60 eff。(输入:12V 输出:27、97V、输出电流:2A)
    83、91W ->%55效率(输入:12V 输出:27、97V、输出电流:3A)

    当我消耗更多电流时、电路停止工作。
    当我检查 Vgs 时、我看到随着输出电流增加、开关接近100%。
    不过、在最低输入电压(12V)下、我的计算结果是77%。
    我使用公式8.2.2.2 (公式14)计算它、  
    Np/Ns:0.33Vout:28V 最小输入电压:12V
    此计算正确吗?  


    当我用热像仪观察时、我发现 MOSFET 的温度大幅上升。
    我的二极管的发热比 MOSFET 要低得多。  我的变压器不会变热。
    但根据我的功率损耗计算、它应该不是这么热。
    我认为这种过热和功率损耗是我在 VDS 中看到的过冲造成的。
    这是否会导致过热和效率损失?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    对于这种测试条件、您是否能够使用热成像法来确定温升较高的位置、以便我们能够集中注意力。

    83、91W ->%55效率(输入:12V 输出:27、97V、输出电流:3A)

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!  

    在这些器件中、MOSFET 可以非常快速地达到90°C。
    因此、我从来没有在没有散热器的情况下运行它。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!  

    我找不到您的完整原理图。 请提供原理图并指出在下面的测试中哪些 MOSFET 会达到90°C

    83、91W ->%55效率(输入:12V 输出:27、97V、输出电流:3A)  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    出于隐私考虑、我无法分享我的完整原理图。
    系统中仅使用2个 MOSFET。
    由 OUTA 驱动的 MOSFET 可能升温稍快。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    如果是这样、我所能说的就是确保正确选择这两个 MOSFET、并将其导通损耗和开关损耗降至最低。