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器件型号：LM5034 工具与软件：
您好！
我已经使用 LM5034来实现250W (28VIN 和50VOUT)转换模块。
为了提高效率、必须降低初级 N 沟道 MOSFET 的开关损耗。
要做到这一点、上升和下降时间确实可以减少。 并附有已使用的 MOSFET (BSC220N20NSFDATMA1)的上升和下降时间。
此外、LM5034栅极驱动器也是如此。
但是、观察到的上升和下降时间约为50ns。 (请参考下面的波形)
注意：该 MOSFET 的栅极串联电阻为0欧姆(20m Ω)。
MOSFET 的功率损耗如下所示。
我们使用了平面变压器。 因此、不能更改或更改变压器。 1：5.3 (VIN 范围- 16V 至36V)时的匝数比。
采用了绕组内结构。
请提供一些技巧、以降低功率损耗。
