[参考译文] TPS25981：定制电路板的设计审查|| TPS259813A

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1475841/tps25981-design-review-for-custom-board-tps259813a

器件型号：TPS25981

工具与软件：

尊敬的团队：

请查看以下原理图和 PCB 布局、并告知我您的反馈。

原理图片段：

问题)在并联使用多个 MOSFET 时是否需要栅极电阻器？

布局片段：顶视图

底视图

采用具有[L1 (PWR+GND+SIG)/ L2 (GND)/ L3 (PWR+GND+SIG)/ L4 (PWR+GND+SIG)]堆叠的4L 电路板设计

电源特性：12V @ 8A (max)

请尽早提供您的反馈。

谢谢。此致、

Shashank

电子工程师

7 个月前

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2390735 points

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大家好、Shashank、

我在实验室做了一些测试。请在本周结束前回复。

此致、
Arush

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2390735 points

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大家好、Shashank、

您为何使用 Q2？是否用于反向电流阻断(RCB)？
OVLO 下降阈值非常接近标称电压。最好将其稍微推高一点。
ILIM (8A)等于最大电流。如果要以最大电流运行、请将 ILIM 保持在较高的水平(至少增加10%)
这在没有栅极电阻的情况下也可行、因为电子保险丝 FET 的栅极在正常情况下也会缓慢斜升(dVdt 控制机制)。仍然建议保持栅极电阻、就像在某些保护机制中一样、栅极可以在更快的压摆率下斜升。
布局看起来正常(从您共享的图像)

此致、
Arush

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2390735 points

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尊敬的 Arush：

1) 1)是、Q2和 Q3用于反向电流阻断。为了改善 MOSFET 的功率耗散、可使用其中2个。

3) 3)峰值工作电流为6A。因此、选择了8A 作为限值。

4) 4) 我是否应该为两个 MOSFET Q2和 Q3添加栅极电阻器？

此致、

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2390735 points

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Unknown 说：
3)工作电流峰值为6A。因此、将8A 选为一个限值[/报价]
那么8A 限制是很好的。
[报价 userid="641950" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1475841/tps25981-design-review-for-custom-board-tps259813a/5687403 #5687403"]4) 我应该为两个 MOSFET Q2、Q3添加闸极电阻器吗？

一般来说、添加栅极电阻是更好的选择。

此致、
Arush

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