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[参考译文] 没有发生 ZVS!

Guru**** 2496035 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5034

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1476252/zvs-not-happening

器件型号:LM5034

工具与软件:

尊敬的团队:

                我在最新设计中使用了 LM5034、用于+28V 到+50V 的转换、功率为250W。

附件包含初级 MOSFET 的 VDS 波形和该 MOSFET 的 VGS 波形。  钳位电容值根据以下公式选择。

DMIN - 0.279.

Lmag - 41.4 μ H

f - 500 kHz

根据上面的数据、计算出的钳位电容器值为12.7nF。  在20nF 中使用的实际值。

此外、已编程设定的死区时间为50ns。

要在有源钳位 MOSFET 和初级 MOSFET 中实现零电压开关、我该怎么做?

CH1:OUT1 (初级 MOSFET 的栅极脉冲)、CH2:初级 MOSFET 的 VDS。  CH3:输入电流。

在这方面、请予以支持。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    ZVS 需要帮助从变压器初级侧漏电感获取能量、并实现适当的死区时间。 在输入电压范围内、人们一致认为过去二十年的有源钳位正向实践不会寻求 ZVS、因为实现 ZVS 所需的泄漏能量非常大、导致的传导损耗增加和占空比降低不会带来效率优势。

    实际上、您可以调整死区时间来获得所谓的 VDS 谷底开关、而不是 VDS 零电压开关。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    本设计的参考资料取自附件(e2e.ti.com/.../slua303.pdf)。  讨论了 ZVS。  

    如果 不发生 ZVS、所需的泄漏能量是多少、如何计算这些能量以实现 ZVS?

    实现 ZVS 后可以提高多少效率?

    观察到的效率为83%。

    此外、在 VDS 谷底开关上扔一些灯。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    在48V 输入或附近以及低于600kHz 开关损耗等频率的应用中、比您引用的应用手册晚得多的调查毫无意义。

    追求 ZVS 会降低效率。 因此、只需要注意 Lm、漏电感1%到2%是可以的。 您可以估算 ZVS 节省了多少功率损耗。 因为我们知道、在像您这样的应用中、影响非常小。

    似乎死区时间过短、会导致 VI 交叉功率损耗。 您可以增加死区时间、看看是否有任何帮助。 增加死区时间。可以看到、当 MOSFET 导通时、Vds 值介于 Vin 和零之间、这称为谷底开关。

    您需要测量和查明功率损耗在何处以及如何处理它们。  

    -死区时间导致 MOSFET 损耗

    -变压器芯和绕组

    - SR 金属氧化物半导体场效应晶体管击穿

    - MOSFET Rdson

    - MOSFET 栅极电荷

    其他

    ZVS 只能与第一个死区时间一起产生影响。 列表中的所有其他项与 ZVS 无关、但我们所知、它们通常是导致效率低的原因。