[参考译文] BQ77915：TI 部件 BQ7791501出现故障

尊敬的 Rahul：

与 BQ7791514相比、BQ7791501具有多个不同的阈值和延迟、可实现不同的保护。

在您分享的原理图中：

如果您有 D2和 D4、则不需要 Q1来保护 CHG 引脚和 FET、但我们建议重新添加 Q3和 R41、以加快 CHG FET 的关断速度。

2、对不起我先前的评论。 我看到您已将 BAT-通过 VSS 连接到 GND。 相反、添加 VC0至 VSS 之间的肖特基和齐纳二极管对于保护 VC0引脚更有用。 您是否也有独立的高电流和低电流 BAT 路径？

Unknown 说：

我们无法分析失败原因

是否有 FET 或无源器件受损？ 您能否分享他们在失败时所做的程序/测试？

此致、
Alexis

尊敬的先生：

我们对低电流和高电流使用单独的路径。

我们担心 IC BQ7791501的故障率非常高。

如果我们实施您的建议、将肖特基二极管和齐纳二极管放在 VC0和 VSS 之间、故障率是否会降低？

如果没有、请推荐 RCA？

谢谢

Rahul Sharma

尊敬的 Rahul：

由于我们不知道导致故障的原因、因此我无法保证在 VC0和 VSS 之间添加肖特基二极管和齐纳二极管会降低故障率。 是否有 FET 或无源器件受损？ 您能否分享他们在测试失败之前/之后所做的程序/测试？  

此致、
Alexis

尊敬的 TI 专家：

除 IC 外、无源器件均未损坏。

我们需要分析。

为什么 IC 故障率很高？

谢谢  

Rahul Sharma

尊敬的 Rahul：

感谢您的澄清。 您能试着做一些更改、看看这些更改是否有帮助？ 如果您想退回器件以进行分析、请点击此链接了解更多信息： 客户退货|其他信息|德州仪器 TI.com

此致、
Alexis

尊敬的 TI 专家：

我是否应该发送完整的产品进行分析？

谢谢  

Rahul Sharma