[参考译文] LM5176：输出电压和开关问题

尊敬的 Ajith：

首先、原理图看起来不错、但未详细检查所有元件值。

为便于查看、您也可以使用快速入门计算器：  

 LM5176设计计算器

真正令人奇怪的是、使用原始设置 RT= 868.6k 时、您没有看到栅极信号开关、而使用100k 时、您会看到一些功能。

我的第一个想法是、焊接可能会有问题、在替换 Rt 时、问题已经解决。

到目前为止、您测试了多少块电路板？ 都是相同的行为。

此致、

 Stefan

感谢您的快速回复 Stefan !

到目前为止、我们只安装了一个板、但更改了 IC 一次、仍然会看到相同的问题。 我们将尝试再安装一个板、然后返回给您。 到那时、如果您有任何需要、请告知我们。

此致、

阿吉特

尊敬的 Ajith：

Sure 会让您知道、还会等待至少一个其他板的测试结果。

此致、

 Stefan

您好、Stefan、

我们已安装 另一个板、 在此板中、我们也面临同样的开关问题。  

此外、我们还尝试  使用更高的开关频率将输出更改为24V。 设计 根据 TI Webench 进行了更改。 在此 测试中、我们还会看到相同的开关问题。  

我们已经尝试 探测了开关信号

1. 当 VIN 为55V 和 LDRV1时、我们可以在此处看到、VOUT 和 LDRV1正在切换、但处于设定值以外的不同频率。
2. 当 VIN- 24V 和 LDRV1 - 0V 时、我们可以在此处看到 VOUT 以设定的频率开关、但 HDRV1始终为低电平。

在这两种情况下、VCC 为7.35V、MODE 约为4.1V。

您是否怀疑此观察存在任何问题？ 请建议我们可以尝试的其他测试。

此致、

阿吉特

尊敬的 Ajith：

您能否为上面的项目1添加更多详细信息(也许还可以分享示波器图)。

您是否确定第2点：

如果 HDRV1始终开启且 LDRV1正在开关、则每次 LDRV1开启时、您将获得短路。

看起来示波器补偿值已设置为低电平(均为斜坡引脚上的高电容)

我认为检查布局也很好。 是否可以共享它？

此致、

 Stefan

您好、Stefan、

我已在私人聊天中向您发送布局文件。 如果您发现任何问题、请查看并告知我们。

谢谢！

阿吉特

尊敬的 Ajith：

感谢收到文件、并将对其进行检查。

此致、

 Stefan

您好、Stefan、

是否可以通过从外部连接导线来测试这些问题？ 只是在重新设计之前进行验证。

VCC 的去耦电容器位于引脚23的底部正下方。

我们还可以更改斜率和 COMP 引脚无源器件来适应这种情况吗？  

谢谢！

阿吉特

您好、Stefan、

我们测试了仅通过导线将 CS/CSG 电阻器连接到感应电阻器、而不是直接连接到 GND、但仍然存在 MOSFET 非开关的相同问题。

在降压模式和升压模式下、当我们尝试测量从0.5V 开始并持续下降时、输出稳定在约0.5V。

我们有几个问题。

1."建议钻线"是什么意思?

2.另外、由于输入范围从10V 开始并升压到48V、因此所需的输入电流很大、MOSFET 只能再放置一点。 在这种情况下、环路将相对较大、这是否认为正确？ 我们可以尝试尽可能缩短长度、但这里有最大/最小长度吗？

3.换为断续模式是否有帮助? 选择这些模式时有什么考虑？

4.我们已经开始重新设计,在我们完成新的布局和布线后,我们可以将其分享给您进行审查吗?

感谢您的回复和调试帮助。

谢谢、此致、

Pavan

尊敬的 Pavan：

回答您的问题：

1.我的意思是,你应该扭转两根电线或使用双绞线电缆

2.电流回路的大小主要不是线的长度(即使这也很重要),但到 MOSFET 的路径(导线)和电流返回路径的导线的面积更大。

请参阅 (4)四开关降压/升压布局提示4：栅极驱动和返回路径布线

并比较选项1和选项2

3、我认为这不会有影响。 断续模式可以更好地防止功率级过载、因为它会进入关闭模式一段时间、以便热量更好地散发、而不发生断续、功率级可以更快地恢复。

可以检查 SS 信号是否上升至> 1V 的电压电平并保持该状态、或者它是否上升和下降或在错误情况下始终保持低电平。

4.当然。

此致、

 Stefan

您好、Stefan、

我们尝试了双绞线电缆、但仍然无法解决问题。

我们重新设计了董事会、我已在私人聊天中与您分享。 如果您发现任何问题、请查看并告知我们。

还有一个问题:在 Excel 计算器和 webench 中尝试了设计,观察到的一个区别是当电流感应未被使用时, ISNS+和 ISNS-都短路。 但在 Excel 计算器中、它被短接至输出、在 webench 中、它们被短接至 GND、而数据表中提到直接短接。 哪一个是正确的选项、是否有区别？   

谢谢、此致、

Pavan

尊敬的 Pavan：

ISNS 的两个选项均正常。 并被置于固定电位。 我认为在布局中使用 GND 更容易一些。

我仔细检查一下布局、让您知道、但需要1-2天时间才能完成。

此致、

 Stefan

尊敬的 Pavan：

首先、我想回顾一下原理图：

(在下面的列表项中、需要再次选中的项目标记为粗体)(注意：此处还列出了其他信息、用于概述所选中的项目)

快速入门计算器：

• 已检查快速入门计算器
  外部元件仅可使用快速入门计算器进行检查(如果提供)：
  LM5176设计计算器 

尚未提供->

原理图：

• 在 VISNS 处为2k 的串联电阻(如果 Vin > 40V、则需要、但建议在所有条件下使用、因为 VIN 在突发期间也可能会更高、仅 LM5176)
• BIAS 已连接
  如果 BIAS 未被使用、连接至 GND 或 VIN (不要保持打开)- BIAS 最大值= 40V！
• 模式：允许的电阻器
  (LM5176仅93k1200k 或 Vcc)

• 去耦电容器 VCC
  VCC 处的盖子足够大-检查与车尾箱盖的比率(至少5个)
• EN/UVLO 处的电容
  在 EN/UVLO 的低侧电阻器上添加电容器有助于避免启动时出现纹波、特别是选择极低的启动电压
• SW1和 SW2上的缓冲器 (或肖特基二极管)
  在 SW1和 SW2处放置缓冲器的封装
   (它们随后可以根据需要(例如、由于 EMI)在不更改布局的情况下进行安装)
  注意：为了获得更好的热性能、缓冲器被连接到 GND 而非电感器

• 连接到 PGND 的缓冲器不感测电阻
  ->请勿连接到感应电阻器、以免缓冲器电流注入感应信号
• 在 MOSFET 栅极信号线路中添加串联电阻
  (它们可以在需要时(例如由于 EMI)更换、而无需更改布局、
• 栅极电阻器<=5欧姆
• MOSFET 的额定电压
  (建议裕度为30%)
• 对 LM5176的电流检测(CS/CSG)使用开尔文连接

• 选择建议的电容器以进行斜率补偿。 最好使用下一个较低的值而不是较高的值(=斜坡补偿更大)
• 请检查整个范围内的相位裕度(建议> 60度)

 此致、

 Stefanb   

您好、Stefan、

请查看以下回复、还根据私聊中的问题分享了更新后的原理图和 pdf 文件。

jun Fan 说：

首先、我要查看原理图：

感谢您发送编修

jun Fan 说：

(在下面的列表项中、应再次检查的项目已标记为粗体)(注意：此处还留有其他信息、以概述已检查的内容)

只是为了澄清我的理解、选中了非粗体、无需更改、但在原理图和布局中更新了粗体。 是这样吗？

快速入门计算器：

• 已检查快速入门计算器
  外部元件仅可使用快速入门计算器进行检查(如果提供)：
  LM5176设计计算器 

尚未提供->

使用与 webench 相同的设计、唯一的更改是 ISNS+和 ISNS-引脚、这是 webench 和计算器的区别。 很快就会提供计算器。  Webench 设计文件也在聊天中共享。

jun Fan 说：

电容(EN/UVLO)
在 EN/UVLO 的低侧电阻器上添加电容器有助于避免启动时出现纹波、特别是选择极低的启动电压 [报价]

添加了一个0.1uF 电容器、该值合适吗？

[报价 userid="2573" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1462336/lm5176-issues-with-output-voltage-and-switching/5649825 #5649825"] SW1和 SW2上的缓冲器 (或肖特基二极管)
在 SW1和 SW2处放置缓冲器的封装
 (它们随后可以根据需要(例如、由于 EMI)在不更改布局的情况下进行安装)
注意：为了获得更好的热性能、缓冲器被连接到 GND 而非电感器 [报价]

在 SW1、SW2和 GND 上添加了肖特基二极管(P/N：SS110)。 您能帮助验证二极管选择吗？ 如果有任何选择标准、请提供建议。

[报价 userid="2573" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1462336/lm5176-issues-with-output-voltage-and-switching/5649825 #5649825"] 连接到 PGND 的缓冲器不感测电阻
->请勿连接到感应电阻器、以免缓冲器电流注入感应信号 [报价]

停止更新的

[报价 userid="2573" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1462336/lm5176-issues-with-output-voltage-and-switching/5649825 #5649825"] 在 MOSFET 栅极信号线路中添加串联电阻
(它们可以在需要时(例如由于 EMI)更换、而无需更改布局、 [报价]

完成(目前添加了一个零欧姆)

jun Fan 说：

请检查整个范围内的相位裕度(建议> 60度)

正如尝试在计算器中拟合 webench 中的值一样、我观察到更低的相位裕度、这似乎与 webench 不同。 我们将对此进行进一步调查并进行更新。

 

谢谢、此致、

Pavan

[/quote]

尊敬的 Pavan：

是的、我始终将完整的检查清单保留在中、并且仅以粗体标记我发现问题的那些地方。 另外、您还有下一个设计或任何更新的检查清单。

此致、

 Stefan