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[参考译文] TPS54A20:TPS54A20设计问题

Guru**** 2496815 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS54A20

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1470800/tps54a20-tps54a20-design-issues

器件型号:TPS54A20

工具与软件:

我们正在考虑使用 TI 的 TPS54A20来实施串联电容器降压转换器、并向 TI 专家提出了一些问题:

  1. 在为串联电容器降压转换器选择开关时、通常首选 SiC 还是 GaN?选择这种选择的原因是什么?
  2. 在串联电容器降压转换器的架构中、是更加注重尽可能减少开关损耗还是导通损耗?
  3. 串联电容器降压转换器的典型开关频率范围是多少?造成该范围的原因是什么?
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    您好、J:

    1. GaN 开关往往具有较低的栅极电荷、因此非常适合高频(HF)应用。 另一方面、SiC 非常适合高电压应用。

    2.通常更注重尽量减少开关损耗、因为它们往往以 HF 运行。 导通损耗仍然很重要、尤其是在低输出应用中。

    3.平均而言、介于500kHz 到 MHz 之间。 有了 HF、您可以使用更小的电感器和电容器、而使用 LF、您可以降低开关损耗、从而提高效率。

    TPS54A20的 HF 范围高于典型降压转换器、范围为4 -10MHz。 此外、 TPS54A20 采用恒定导通时间(COT)控制模式、该模式基本上保持导通时间固定、因此控制环路可以根据 VOUT 变化快速调整开关、同时在轻负载条件下仍能保持良好的效率。

    此致、

    Eileen

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    尊敬的 Eileen:

    感谢您的回答。

    1.我想知道哪一种适合串联电容降压拓扑结构、SiC 还是 GaN 器件?
     正如您所说、串联电容器降压转换器通常以 HF 运行、因此 GaN 器件是一个不错的选择?

    2. 此架构是否具有 ZVS 功能?

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    您好、J:

    遗憾的是、我不支持这两种模式。 我支持 TPS54A20器件。 以下应用手册详细介绍了您要查找的内容: https://www.ti.com/lit/an/slyt801/slyt801.pdf 

    此致、

    Eileen