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工具与软件：
大家好！
什么是 VBR -内部 CDV/dt 引脚上的反向击穿电压(见随附图像)。 谢谢！ John
尊敬的 John：
这是一个肖特基二极管、因此击穿电压非常高。 我没有确切的值。 您正在施加多大的电压？
此致、 Arush
Arush
电荷泵会使其接近相对于接地的29伏左右。 请注意、我在输出端使用的功率晶体管具有 Vgs +/- 20V -使用基本适用于 EVM 的相同晶体管-我想知道如果我使 C dV/dt 电容过大(例如1uF)、电荷泵是否可能承受过高的电压。 我看到一些器件发生了故障-我将尝试确定故障机制是什么。 我已经找到了一种在使用大(负载)电容(处理大浪涌电流)时使用它的方法-但我不打算在此处发布该解决方案。
谢谢！ John
我应该添加二极管的图片、是针对平面 Jane 硅整流器-而不是肖特基整流器。 或许更新它？
让我向设计团队再次确认这一点。 无论如何、电荷泵将处于高电压、因此不会发生击穿、请施加反向电压。
我仔细检查了一下。 该二极管为 pn 结二极管、反向击穿电压约为8V 至10V。
我一直在 24V 设计中使用 TPS25983。 对地短路还是对晶体管源短路？
如果我放一个1uF 电容器；例如、对于连接到引脚15的电容器、充电电容是否能够高于该二极管的 VBR？ 为了安全(r)、也许应该在引脚15上放置一个具有更高 VBR 的外部二极管。
这是您在功能方框图中指出的二极管的反向击穿电压。 该二极管的另一端连接到 HFET 栅极。
如果您不有意在该引脚上推送更高的电压、那么电压肯定不会上升到足够高的电平、导致二极管反向击穿。 二极管的另一端应电压约为29V。
那么、该二极管的 VBR 相对于外部晶体管的源极；对吗？
John、
否、二极管位于内部 FET 的栅极和 dVdT 引脚之间。 将 dVdT 引脚连接到外部 FET 的栅极。
