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[参考译文] TPS61196-Q1：TPS61196-Q1外部 MOSFET PD 计算

admin
Guru**** 2496895 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1468196/tps61196-q1-tps61196-q1-external-mosfet-pd-calculation

器件型号：TPS61196-Q1

工具与软件：

您好、TI 专家！

您能否分享用于计算外部开关 MOSFET 功率耗散的公式或参考？ 因此、我们可以选择具有更好性能和成本的合适 MOSFET (低 SW 损耗和导通)。  

我在数据表中没有看到有关 MOSFET 损耗计算(导通和 SW 条件)的参考或特定部分。

感谢您的支持！

谢谢！

Johnson John

 

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    TI__Guru**** 2496895 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好

    由于农历新年、我们的专家将于2月5日回复您

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    TI__Guru**** 2496895 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Johnson

    由于 MOSFET 损耗与 MOSFET 密切相关、您可以向 MOSFET 供应商核实、因为它对控制器的主要影响是开关时间和导通时间。 您可以在数据表中找到它。

    为了便于计算,它可以被看作是 TON*TON+VHEAD*FSWITCH IL 对于传导损耗,对于开关损耗,它应该是 toff IL。