[参考译文] BQ76952：充电 MOSFET 源的漏电压

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1469997/bq76952-leakage-voltage-at-charging-mosfet-source

器件型号：BQ76952

工具与软件：

我已使用 BQ76952为低侧开关实现了以下电路、但面临以下问题。

在给定主电源14V 的情况下、当放电 MOSFET (QDSG)关断时、PACK-处出现12V 的漏电压、因此充电 MOSFET (QCHG)不导通、因为我要生成5V 的栅极电压来驱动 MOSFET。

如果放电 MOSFET 在 PACK-电压上、则电压为0V、因此我可以控制充电 MOSFET。当放电 MOSFET 关闭时、就会出现问题。

Pack -ve 处出现电压的原因可能是什么？

我还看到 Batt+和 Pack -ve 之间有电容器。在其中使用0.1uF 电容器的目的是什么？

8 个月前

0 admin 8 个月前

TI__Guru**** 2394305 points

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您好、Divya：

发生这种情况时是否连接了负载？ ‘"GND"基准位于电池负极、则当 DSG FET 关断时、DSG FET 位于 GND、PACK-可通过负载电阻拉至 PACK+。系统在此状态下将无法充电、充电 FET 也可以通过 VBAT 的栅极电压关断。如所示 图1-3. 放电 FET 关断、连接负载 低侧 FET 的更多详细信息应用手册。

BAT 和 PACK 之间的电容器用于提供 ESD 保护。

此致、
Alexis

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