[参考译文] AM4378：IDK 硬件用户指南中的参考数据表

admin

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器件型号：AM4378

大家好、我在以下 URL 中找不到数据表参考。 processors.wiki.ti.com/.../AM437x_IDK_EVM_HW_User_Guide

您能告诉我数据表的位置吗？

此致、

ay0689

0 admin 8 年多前

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您好！

这些内容似乎是 AM437x 数据表的参考。最新版本为 D、相关部分为5.13.8.2.1。但是、这些参考文献似乎指向数据表的某个旧版本。我将通知工厂团队更新 wiki。

0 admin 8 年多前

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Biser San、您好！

感谢您的信息。

我们需要 AM437x 数据表的匹配修订版、以了解 wiki 的内容并继续进行电路板设计。

请将其发送给我吗？

谢谢、此致、

ay0689

0 admin 8 年多前

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我已通知工厂团队更新 wiki。

0 admin 8 年多前

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Biser San、您好！

我的同事向我发送了 AM437x RevC 数据表。但是、它与表相关的内容与 RevD (最新版本)相同。

我在 RevD 数据表中搜索了 PCB 设计指南的关键字、并创建了下表。

PCB 指南偏差

下面提供了与数据表相关的 PCB 指南偏差。

序号	PCB 设计指南	数据表参考 SPRS851D (修订版 D)	误差	偏差原因
1	DDR3布线区域下的完整 VDDS_DDR 电源参考层	表5-53.	第4层中除 DDR 之外的信号也以 VDDS_DDR 电源平面为基准	空间受限
2.	放置 X2 (DDR 器件1至器件2的距离)- 600mil (最大值)	表5-54.	740mil	以简化布线
3.	VDDS_DDR 大容量旁路电容器数量2个器件(最小值)	表5-55.	仅使用一个大容量电容器	空间受限
4.	VDDS_DDR 大 μF 旁路总电容为20 μ F (最小值)	表5-55.	需要2个10 uF 电容器。但仅使用了一个10uF	空间受限
5.	DDR3大容量旁路电容器数量2个器件(最小值)	表5-55.	使用一个器件(22uF)电容器	空间受限
6.	DDR3大 μF 旁路总电容20 μ F (最小值)	表5-55.	使用一个22uF 电容器	空间受限
7.	VDDS_DDR HS 旁路电容器数量20个器件(最小值)	表5-56.	使用6个旁路电容器	空间受限
8.	VDDS_DDR μF 旁路电容器总电容为1 μ F (最小值)	表5-56.	使用0.01uF X 6个电容器	空间受限
9.	DDR 1 - 2：DDR3器件 HS 旁路电 μF 总电容- 0.85 μ F (最小值)	表5-56.	使用0.01uF x14电容器	空间受限
10.	CK 和 ADDR_CTRL 标称布线长度- 100mil (最大值)	表5-59、5-70	差异超过200mil	和布线限制
11.	分割平面交叉	？？？	发现的电压	和布线限制

表16：PCB 指南偏差

我在 RevD 数据表中找不到关键字"分割平面交叉"。您能否告诉我与 RevD 数据表参考中的含义相对应的表编号？

此致、

ay0689

0 admin 8 年多前

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这应该是表5-53参数5、另请参阅第5.13.8.2.1.3.5节中的要求