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所有、
我对 AM5708 EVM 原理图"518202_DRA71x_DRA79x_TDA2Ex17_AM570x_EVM_OrCAD_PDF_Rev_C_24OCT2016.pdf"确实有几个问题。
-在 DDR 电源侧、为什么原理图中装配了 U72 (第8页)？
- DDR3模块由 LP8732x 的 BUCK1 (VDD_DDR)通过功率监控器感应电阻器加电
- AM5708 VDDS_DDR1由 U72从 VDD_DDR 生成的 VDD_DDR_CPU (通过功率监控器感应电阻器)供电
您熟悉 LP8733x (版本0x2D)和 LP8732x (版本0x20)的加电和断电排序(第7页- SNVU554-May17)–我们的 EVM 使用了0x2A 和0x2E 版本。
通过我们的原理图，VDD_DDR_CPU 和 VDD_DDR 之间存在0.8ms 的延迟，这是因为 U72导致 VDDS_DDR1比 PMIC 晚1.8ms，比 VDD (+1.15V)晚0.3ms：
- 0.0ms：PMIC 启用(随附 pdf 中的 EN 信号)
- 1.0ms：生成 VDD_DDR (LP873220_BUCK1)为 DDR3模块上电、同时通过 LP873220_GPO2启用 U72
- 1.5ms：生成 VDD (LP97332D_BUCK0)
-1.8ms：U72生成 VDD_DDR_CPU 以为 AM5708 VDDS_DDR1加电
这看起来与 AM570x 数据表(第153页- SPRS961A-Feb17页)形成对比、其中 VDDS_DDR1应在 VDD 之前出现–您怎么看？
最后但同样重要的是，查看原理图，还有一个开关(U122，第14页)用于控制 microSD 电源。
根据 microSD 规范，为了修改卡的工作电压，需要一个开/关周期。 在“SD mode”(SD 模式)的初始化阶段，访问已达到非活动状态的卡的情况也是如此。
由于根据应用要求，microSD 卡始终以3.3V 的电压加电并在“SPI 模式”中初始化，因此不需要再循环通电。 如果是、我可以避免使用开关并将 microSD 电源连接到 LP8733x 的 LDO0生成的 VDDSHV8–您对此有何感受？
请告诉我-这是一个紧急问题。
提前感谢您的友好支持。
