[参考译文] OMAPL138B-VDDA：EP 和 PLL0_VDDA 压降灵敏度

尊敬的 Patrik：

感谢您的提问。

请预计在几个工作日内收到回复。

感谢您的耐心。

此致、

瓦伊布哈夫

尊敬的 Patrik：

感谢您的查询。

您能否帮助我了解在更改 LDO 之前是否没有出现问题。  

我的问题是：

- OMAPL138 SoC 对 PLL0_VDDA 和 RVDd 引脚上的压降的敏感性有多大？ (在我看来、我们仍然完全处于规格之内。)

-是否有任何内部受到上述压降的影响,导致所述的行为?  (请参阅下面的串行日志)

[/报价]

处理器 ROC 包含电压和纹波的变化。

请验证 LDO 之间在电容器和布局方面是否有任何建议变化。

请以 LDO 编号作为标题来启动 E2E 查询、以便从 LDO 团队获得所需的支持。

此致、

斯里尼瓦萨

我正在 从 LDO 输出一个10uF 的电容之后测量电压。  我已选中、下面是 LDO 输入和输出电容的相关建议。

很抱歉、我不熟悉 ROC 这个首字母缩略词、这意味着什么？ 您是否省去了 RVDd 引脚允许的电压电平？ 如果是、我们处于在20MHz 带宽下测得的电压和纹波的输入间隔内。 测得的电压+纹波的范围为1.20至1.26V、且始终包含纹波。 该误差似乎与12mV +-~8mV 纹波的突然下降重合。

这是现有电路板上的替代产品。 在更换之前我们没有问题。

尊敬的 Patrik：

谢谢你。

之前使用的 LDO 是射频 LDO。  

TPS720 350 mA、超低输入电压、 射频低压降 L 具有偏置引脚的内联稳压器

当前 LDO 为  

TPS7A11 500mA 低输入电压、低 VOUT、超低压降稳压器

我看到输入电容器和输出电容器建议之间存在差异。

您能否验证是否已注意到所有建议的更改。

此致、

斯里尼瓦萨

很抱歉、您向哪一个上限推荐？ 我有铁氧体 和3个电容器。在输出 BLN15HG102SN1 + 10uF + 2*100nF 在输出上，在输入上有2*22uF 和在偏置22uF。 我将把您的回复转发给我们的硬件工程师。

尊敬的 Patrik：

谢谢你。

这些是数据表中推荐用于 LDO 的电容。

请分享答案、同时让他 知道以前使用的 LDO 是射频 LDO。 硬件 工程师可能有选择 LDO 的理由。

此致、

斯里尼瓦萨