[参考译文] TRF370417：TRF370417有害发射和放大器互调

要求相邻通道泄漏功率为55dB、但 TRF370417的输出为62dB、但放大器会发生互调、从而产生42dB 的泄漏功率。

Kang-san、

DAC 与调制解调器集成、无法更改。
DAC 和 TRF370417之间或 TRF370417输出端是否有办法纠正此问题？
是否可以通过进行校正来增加 Cn 比与当前的 Cn 比？

您好、Okada-San、

另一种方法是添加额外的射频带通滤波器以滤除图像和 LO 偏移。 但是、您需要确保信号频率有足够的偏移来远离 LO 载波。

-姜

Kang-san、

如果我们调节输入、可以将 TRF370417的有害发射降低多大？
在 FSK 系统中使用 C 类放大器时、是否有办法可以使系统不受有害发射的影响？

先生 Daniel：

IQ 信号的相位由 RC 电路改变、以测量输出频谱和输入信号。

当相位差为90°

当相位差为94摄氏度/瓦时、

相位差为99°时、

当相位差为109°时、

改变相位差会改变边带发射、但不是 Carrer Leak。

您好！

载波漏电通过直流失调电压进行调节。 相位调整不会影响载流子泄漏。

正如 Kang 已经提到的、您需要调整注射座漏电的直流偏移。 如何改善边带。 我的帖子包含一些您可以尝试的信息和简单电路

尊敬的所有人：
我的结论是、更改直流失调电压不会降低电流电平下的滑车泄漏电流。
如果在运行过程中改变直流失调电压、则 Carrer 电平会立即下降、但逐渐升高。

在0.5V 到3V 范围内的偏移中、直流失调电压最好为1.74V。

Kang-san、
由于载波两侧的 FSK 会发生变化(+945Hz 至-945Hz)、所以 RF 滤波器的带宽必须包括载波。
TRF370417应用中的 GSM 是 GMSK、与这个调制相似、但是放大知道是如何实现的吗？

Unknown 说：

我得出结论，更改直流偏移不会降低笔架漏电流，而不会降低当前水平。
如果在运行过程中 DC 偏移发生变化，Carrer 电平将立即下降，但逐渐增加。[/报价]

我们预计直流失调电压会随温度而变化。 请确保有一个动态环路来随温度和时间改变直流失调电压。 我们期望在 UV 范围内进行直流失调电压调整。  

Unknown 说：

在0.5到3V 之间的 DC 偏移最好为1.74V。

下面的范围太大。 则需要在 UV 范围内进行调整。  

[/quote]

Takanori-San,

基站客户将使用 DAC3482和 DAC3283等高精度 DAC 来调节 QMC 和 LO 泄漏电流。 您必须找到某种方法来调节直流失调电压、否则它将成为射频发射的一部分。  

Kang-san、
我还有一个关于载波馈通和边带抑制的问题。
在 TRF370x 正交调制器评估模块用户指南(www.ti.com/.../slwu062.pdf)中、优化时、边带抑制为60dBc、载波馈通为-50dBm。
这些值是否为限值？

尊敬的 Takanori-San：

这将取决于您的承运人分辨率和 LO 调整。 我测得的范围为70dBc 至80dBc、需要根据温度进行校正。

-姜

Kang-san、

直流偏移校正方法是否有参考设计或应用手册？

Kang-san、

感谢您的回复。

我认为本用户指南介绍了如何手动调整载波抑制和边带抑制。

Jin Huang1 说：

请确保有一个动态循环来根据温度和时间更改直流偏移。

是否有关于动态环路的参考？