[参考译文] AWRL6432：有关1.8V 优化电源轨的问题、以及另一个问题

尊敬的 Chase：

请允许我们在周一之前提供回复。

时间

尊敬的 Tim：

感谢您的支持、希望您的周末过得愉快。

如果我问的问题有任何更新、请告诉我。 谢谢。

此致、

蔡斯

尊敬的 Chase：
   AWRL6432具有内部 LDO、用于从1.8V 电源生成1.2V 电压。 请参阅 AWRL6432数据表、了解各种电源和 IO 拓扑的每个电压轨的最大额定电流。

此致、
西瓦普拉萨德

尊敬的 Chase：

您能解释一下上面的问题2/3吗？ 他们希望闪存什么引导加载程序？ 客户是否要使用次级引导加载程序？  

请查看我们的 SBL 示例以及 SDK 中的文档、这些文档可能会澄清一些问题。

此致、

时间

尊敬的 Sivaprasad、Tim：

感谢您的支持。

 AWRL6432具有内部 LDO、用于从1.8V 电源生成1.2V 电压。 请参阅 AWRL6432数据表、了解各种电源和 IO 拓扑的每个电压轨的最大额定电流。

我只能找到下面的表格。 您能否确认1100mA 是内部 LDO 的最大输出电流？

这里还有一个问题。

我发现有4个电源轨需要1.2V 电压。 (VDD、VDDA_12RF、VDD_SRAM、VNWA)

您能否检查每个4个电源轨的最大功耗？

特别是我的客户希望将射频输出功率设置为10dBm。  另请检查最大电流是否可以支持此射频输出功率。

您能解释一下上面的问题2/3吗？ 他们希望闪存什么引导加载程序？ 客户是否要使用次级引导加载程序？  

-> 我完全不了解此设备。 很抱歉提前遇到愚蠢的问题。

1.此器件是否具有可编写用户应用程序的片上 ROM 存储器？

(导致我在数据表的9.6 "引导模式"部分中看到了"片上 ROM 存储器"一词。)

如果可以、当我刷写片上 ROM 存储器时、我们可以使用哪个接口？ (JTAG 或/和 UART？)

2.我可以在 AWRL6432上编写次级引导加载程序吗？

如果可以、 当我刷写次级引导加载程序时、我们可以使用哪个接口？ (JTAG 或/和 UART？)

3. JTAG 接口是否仅用于调试？

4.如果我使用通过 SOP1和 SOP1引脚为零的刷写模式、 当我刷写外部串行存储器时、我们可以使用哪个接口？ (JTAG 或/和 UART？)

5.如果我使用通过 SOP1和 SOP1为1的调试模式、可以使用 JTAG 或 UART 进行调试吗？

6.我是否应该更多设置以使用 SOP 组合?

(即我必须添加更多组件才能使用刷写模式或其他模式。)

7.我的客户将使用 DIP 开关来控制 SOP1和 SOP0引脚。 可以吗？

请检查这些问题。 提前感谢。

此致、

蔡斯

尊敬的 Chase：
我之前的回答是关于 BOM 优化拓扑。 对此我深表歉意。 在功率优化型拓扑中、应从外部提供1.2V 电压。 您能否确认您指的是哪种电源拓扑？

此致、
西瓦普拉萨德

尊敬的 Sivaprasad：

感谢您的支持。

我的客户将使用"8.5.3功耗优化型1.8V I/O 拓扑"来实现高天线功率。

在这种情况下、我们必须使用2条电源线、即1.8V 和1.2V。 对吗？

所有1.2V 电源轨的最大电流如何？ 500mA LDO 可以吗？ 或者我应该使用具有更高输出电流的 LDO 吗？

请检查其他问题、答案是1到7。

此致、

蔡斯

1.此器件是否具有可编写用户应用程序的片上 ROM 存储器？

否、这仅适用于主引导加载程序

(导致我在数据表的9.6 "引导模式"部分中看到了"片上 ROM 存储器"一词。)

如果可以、当我刷写片上 ROM 存储器时、我们可以使用哪个接口？ (JTAG 或/和 UART？)

2.我可以在 AWRL6432上编写次级引导加载程序吗？

如果可以、 当我刷写次级引导加载程序时、我们可以使用哪个接口？ (JTAG 或/和 UART？)

是的、您可以将 SBL 写入器件。 请查看 SDK 中的 SBL 示例文档。 您可以通过 UART 进行刷写

3. JTAG 接口是否仅用于调试？

主要是、是的

4.如果我使用通过 SOP1和 SOP1引脚为零的刷写模式、 当我刷写外部串行存储器时、我们可以使用哪个接口？ (JTAG 或/和 UART？)

UART

5.如果我使用通过 SOP1和 SOP1为1的调试模式、可以使用 JTAG 或 UART 进行调试吗？

是、JTAG

6.我是否应该更多设置以使用 SOP 组合?

(即我必须添加更多组件才能使用刷写模式或其他模式。)、

我们通常仅使用闪存、功能和调试模式。

7.我的客户将使用 DIP 开关来控制 SOP1和 SOP0引脚。 可以吗？

是的、这很好

尊敬的 Chase：
在功耗优化的1.8V IO 模式下、器件应使用两个电源轨(1.8V 和1.2V)供电。 此模式下1.2V 电源轨的峰值电流额定值为1100mA。 LDO 应能满足此电流要求。

此致、
西瓦普拉萨德

尊敬的 Sivaprasad：

感谢您的支持。

我仍然不清楚明白。 请检查以下问题：

1.在表8.7中可以看到功耗优化模式的功耗低于 BOM 优化模式的功耗。 所以我认为功耗优化模式使用更多的 IC 来降低电流消耗。 BOM 优化模式使用最少的 IC 来降低 BOM 成本。 相反、BOM 优化模式具有更大的电流消耗。 我对吗？

2.请再次确认，我应该对15dBm 的 TX 功率使用"功率优化"1.8V IO 模式吗？

  仅15dBm TX 功率的电流消耗是多少？ 您能猜到吗？

3.如果我们使用"BOM 优化"1.8V IO 模式、是否可以按照表8-7中所述使用10dBm 的 TX 功率？

最棒的酒店

蔡斯

尊敬的 Sivaprasad：

感谢您的支持、希望您的周末过得愉快。

下面是我的客户提出的一些问题。 您能检查一下这些问题吗？

1."VDDA_10RF"(L3、M3)引脚的最大输出电流是多少？

2.  "VOUT_14APLL"(G5)引脚的最大输出电流是多少？

3. VOUT_14SYNTH"(D3)引脚的最大输出电流是多少？

4.如果 VDDA_10RF 的输出电流不足、我可以将"VOUT_14APLL"(G5)或 VOUT_14SYNTH"(D3)添加(连接)到"VDDA_10RF"吗？

正如我说过的、我的客户希望获得最大的 TX 功率。

如果"是"、我的客户将使用电阻分压器从1.4V 生成1.0V (或1.2V)、并将其连接到 VDDA_10RF 引脚。

请检查此问题。 谢谢。

此致、

蔡斯

尊敬的 Sivaprasad：

感谢您的支持。

您的意思是、我不能使用其他内部电源线来产生15dBm 的 TX 功率。 对吧？

请说明清楚。

此致、

蔡斯

尊敬的 Chase：
是的、您不能使用任何电源轨来实现每个 Tx 超过11dBm 的输出功率。 请考虑使用天线增益和 BPM 来增加射频输出总功率。

此致、
西瓦普拉萨德