[参考译文] CC1120：CC1120：由于降压影响、射频噪声-请提供建议

器件型号：CC1120

男士、

我们犯了一个巨大的错误、测量射频噪声的时间不够早(在开发过程中由于电源问题导致两次降压...)。

因此，我们有~1000台设备可供发货，另外还有一个无法正常工作的设计...

现在、我需要修复
A.我拥有的附加器件
B.重新设计电路、
欢迎使用所有帮助/提示。

案例：我们有24V Vcc 输入以及标准 CC1120 434MHz 窄带设计(TI 模板、仅 Vcc 内的一个磁珠)。
我们没有任何空间、电路太小、我们需要 PCB 两侧都有器件。

我不喜欢射频电路中的任何降压转换器、但在本例中(24V -> 3.3V)、我们没有机会。
我们使用的降压转换器可实现高达2A 的分组 PWM、这是我们不需要的(60mA 足以满足要求)、但这正是他们设计的(以及市场提供的)。

发生什么情况：我们不会在距离载波50kHz 步长处获得高达-35dB 的噪声。

VCC 显示80mV pp@ 50kHz：

如果我们将60uF 并联(在磁珠后面)、则噪声更小、但仍然不能完全正常工作

对于我们已经在这里的1000件、我可以使用它、也许使用100uF -但我发现100uF 不会低于1206 (MLCC)的4x7mm (elco)。

另外，如果我们在焊珠之后加载10欧姆负载，则会使其降低，但这意味着我们将产生1W 的加热：-(不可能。：

你推荐什么？

Thx。 提前了很多时间

第一：由于您的空间非常紧张：您在进行更改时有何种程度的自由？  

我将开始研究一些去耦电容器。 从 AVDD_XOSC 开始、查看更改电容是否会更改输出频谱。  

之三、

很高兴您能看到它。

空白：附加后、您会发现顶部和底部-非常脏；大多数部件为0402。

去耦电容器：从不想接触这些；它们都处于47nF -您会将它们改变到什么范围、我们必须寻找哪些潜在的副作用？

爬虫程序/CC：

顶部：

更改去耦电容器不会产生这种影响。
最有优势的是靠近 CC 的大电容(47或更好的100 uF)。
当我查看哪个电容器、或者根据电路中的空间/位置、我可以为此"挂起"：
您的基准电压为10nF C171、远离 CC、与许多其他47nF 电容并联。 这有什么意义？

另一个非常积极的影响是将磁珠更改为10欧姆 R。根据您的经验、问题是：如果我们删除磁珠、我们必须寻找什么？

对于某些系统、通常在使用电池时不需要磁珠。 该磁珠通常用于消除/滤除来自电路其他部分进入 C1120部分的噪声。 您是否已研究过不同的磁珠、以查看您是否找到覆盖50kHz 的磁珠？  

如果您使用10欧姆电阻器、IR 压降是否会成为问题？  

C171为 PA 提供 交流 接地。 您希望在50kHz 进入射频路径之前抑制它、此时它已经位于射频路径中。

之三、让您随时了解我们的调查结果：
给定线圈之后输出3.3V 的降压转换器、以2x22uF 缓冲(默认参考 电路)。
然后、它通过磁珠进入 CC 电路。
我们衡量了哪些影响：

无论出于何种原因、在焊珠之前添加大电容器与在焊珠后面放置大电容器相比、没有什么好处。

在10dB 已编程的 PA 的情况下、10R 产生的~0.5V 损耗不会产生影响- R47显然具有影响。